Qidiruv: ЦИРКОНИЙ

	Имсларни яратилиш тарихи SiO2 ни диэлектрик сингдирувчанлик коэффициенти ε катта бошқа диэлектрикларга, масалан ε ~20÷25 бўлган гафний ёки цирконий оксидларига алмаштириш йўли билан хал этилади 1,07 Mb. 3	o'qib
	маъруза электроника ва схемалар фани, мазмуни ва усуллари SiO2 ни диэлектрик сингдирувчанлик коэффициенти ε катта бошқа диэлектрикларга, масалан ε ~20÷25 бўлган гафний ёки цирконий оксидларига алмаштириш йўли билан хал этилади 17,94 Kb. 1	o'qib
	маъруза: Электроника ва схемалар фани, мақсади ва вазифалари SiO2 ни диэлектрик сингдирувчанлик коэффициенти ε катта бошқа диэлектрикларга, масалан ε~20÷25 бўлган гафний ёки цирконий оксидларига алмаштириш йўли билан хал этилади 239,37 Kb. 9	o'qib
	Академиги с. А. Азимов номидаги «физика-қуёш» иичб материалшунослик институти Al2O3 ва цирконий ZrO2 оксидлари тизими асосида модификацияловчи қўшимчалар диффузияси оқибатида юқори температурали керамик материалларда гетероген фазалар шаклланиши механизми ишлаб чиқилди 0,89 Mb. 5	o'qib
	Мавзу: Электроника ва схемалар 2 фани, мазмуни ва усуллари иms тайёрлаш технологияси. Иms актив ва пассив элементлари SiO2 ни диэлектрик сингдирувчанлик коэффициенти ε катта бошқа диэлектрикларга, масалан ε~20÷25 бўлган гафний ёки цирконий оксидларига алмаштириш йўли билан хал этилади 17,57 Kb. 1	o'qib