Фоторезисты с химическим усилением: прорывное направление или тупик Ccl4: O2: Ar (1: 1: 3). Кроме со для обработки применяют плазму влажного воздуха [35]. Такая обработка увеличивает плазмостойкость резистной маски настолько, что она становится пригодной для пхт полиимида 101,24 Kb. 9