| Physica status solidi Ge = 5659 нм и размерами 47 нм на границах раздела субкристаллитов пленки. Обнаружено, что в процессе кристаллизации в соединениях GaAs1–δBiδ образуются нановключения, т е квантовые ямы с размерами 43 нм в приповерхностных областях пленки 208,3 Kb. 4 | o'qib |