| Имсларни яратилиш тарихи SiO2 ни диэлектрик сингдирувчанлик коэффициенти ε катта бошқа диэлектрикларга, масалан ε ~20÷25 бўлган гафний ёки цирконий оксидларига алмаштириш йўли билан хал этилади 1,07 Mb. 3 | o'qib |
| маъруза электроника ва схемалар фани, мазмуни ва усуллари SiO2 ни диэлектрик сингдирувчанлик коэффициенти ε катта бошқа диэлектрикларга, масалан ε ~20÷25 бўлган гафний ёки цирконий оксидларига алмаштириш йўли билан хал этилади 17,94 Kb. 1 | o'qib |
| маъруза: Электроника ва схемалар фани, мақсади ва вазифалари SiO2 ни диэлектрик сингдирувчанлик коэффициенти ε катта бошқа диэлектрикларга, масалан ε~20÷25 бўлган гафний ёки цирконий оксидларига алмаштириш йўли билан хал этилади 239,37 Kb. 9 | o'qib |
| Мавзу: Электроника ва схемалар 2 фани, мазмуни ва усуллари иms тайёрлаш технологияси. Иms актив ва пассив элементлари SiO2 ни диэлектрик сингдирувчанлик коэффициенти ε катта бошқа диэлектрикларга, масалан ε~20÷25 бўлган гафний ёки цирконий оксидларига алмаштириш йўли билан хал этилади 17,57 Kb. 1 | o'qib |