| Issn 2091-5446 ilmiy axborotnoma научный вестник scientific journal 2017-yil, 4-son (104) gumanitar fanlar seriyasi Tarix, Falsafa, Sotsiologiya, Filologiya, Pedagogika, Psixologiya, Iqtisodiyot, Huquqshunoslik 2,54 Mb. 246 | o'qib |
| Issn 2091-5446 ilmiy axborotnoma научный вестник scientific journal 2020-yil, 2-son (120) gumanitar fanlar seriyasi O‘zbekistonning janubiy hududlarida uy joy qurilishidagi ahvol: o‘zgarishlar va muammolar 4,58 Mb. 177 | o'qib |
| В. К. Древ. Формирование региональной системы управления массовым спортом// Науч проблемы гуманитарных исследований. 2011. №4 Issn 410-3004 Ежеквартальный рецензируемый, реферируемый научный журнал «Вестник агу». Выпуск (218) 2018 Урок 39,09 Kb. 2 | o'qib |
| Инн 7715986433, р\с №40702810929140005840 в филиал "нижегородский" ао "альфа-банк" «Интернаука» сообщает Вам о том, что Ваша статья «O‘zaro ma’lumot almashuvchi idoralar o‘rtasida kalitlarni boshqarish» принята к публикации в журнале «Студенческий вестник» 289,54 Kb. 1 | o'qib |
| Самаркандский вестник Xabar jo'nating Ўзбекча Amir Temur va Boyazid Yildirim to‘qnashuvi: Anqara jangi Islom va turk olamining ikki buyuk sarkardasi, o‘z davrining eng qudratli hukmdorlari Sohibqiron Amir Temur va 161,49 Kb. 4 | o'qib |
| Вестник Московского государственного университета культуры и искусств Moskva davlat madaniyat va san'at universiteti xabarnomasi institutning asosiy ilmiy jurnali 2003 yildan beri nashr etiladi. Jurnal yiliga olti marta nashr etiladi. Qo'shimcha nashrlar yo'q 14,64 Kb. 1 | o'qib |
| Вестник №5 2014 журнал ассоциации «совет муниципальных образований» «Медиация в Томской области: первые шаги», прошедшей в Томске 17 ноября 2014 года по инициативе Уполномоченного по правам человека в Томской области Е. Г. Карташовой и директора Фонда развития независимой журналистики 19,18 Kb. 2 | o'qib |
| Шаблон оформления статьи для публикации в электронном научно-образовательном и прикладном журнале «Инженерный вестник Дона» Iкз равен световому току, поэтому Iкз можно считать максимальным током, который способен создать сэ. Величина Iкз в значительной степени зависит от диффузионной длины носителей заряда в полупроводнике [3] и качества пассивации поверхности Исследование 43,35 Kb. 2 | o'qib |
| МоскоВского государстВенного областного униВерситета «Вестник Московского государственного областного университета. Серия: Лингвистика» 4,13 Mb. 168 | o'qib |