Qidiruv: Транзистор

	3-4 лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В. Манба кучланиши E=12 в ва коллектор занжиридаги қаршилик Rк = 600 Ом олиниб Rб = 187 Kb. 1	o'qib
	3-4 лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В. Манба кучланиши E=12 в ва коллектор занжиридаги қаршилик Rк = 600 Ом олиниб Rб = 188 Kb. 1	o'qib
	Лекция 9 логические элементы. Трансмиссионные характеристики лэ Vt будет закрыт и на выходе y появится сигнал лог. 1, так как всё напряжение будет падать на закрытом транзисторе. При подаче на вход X логического элемента сигнала лог. 1, транзистор vt открывается и на выходе y появится сигнал лог Лекция 454,31 Kb. 1	o'qib
	Лаборатория иши бтда ясалган барқарор ток генераторини тадқиқ этиш Vt1 транзистор уланган. У жуда кичик қаршиликка эга. Шунинг учун vt1 кучланиш генератори вазифасини ўтайди. У rю бошқарилувчи занжир билан кетма-кет уланган vt2 транзисторнинг эмиттер-база ўтишини кучланиш билан таъминлайди 218,69 Kb. 1	o'qib
	Электроника ва радиотехника кафедраси “Электроника ва схемалар 2” фанидан 1- мустақил иш Мавзу: «умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган биполяр транзисторли кучайтиргич каскадини ҳисоблаш» N2369A (вариант бўйича транзистор тури) биполяр транзисторининг кучайтиргич каскадларини техник параметрларини ҳисоблаш ва ўлчаш бўйича амалий кўникмаларни мустаҳкамлаш 414,7 Kb. 2	o'qib
	Режа: мдя – транзисторида ясалган инвертор схемаси мдя – транзисторида ясалган мантиқий элементлар Рақамли имс оиларнинг мувофиқлаштириш усуллари мдя – транзисторида ясалган инвертор схемаси SiO2 мдя – транзистор яратилди, кейинчалик эса унинг асосида гуруҳ усулида ишлаб чиқариш йўлга қўйилди 96,5 Kb. 3	o'qib

1 2 3