9-Ma’ruza: ims elementlarini izolyatsiyalash. Sxema ichida elektr izolyatsiyalash usullari. Teskari kuchlanish berilgan p-n o’tish bilan izolyatsiyalash Reja

Planar
p-n
o’tishlar.
Bu usulning kelib chiqishi barcha
p-n
o’tishlar 
asosidagi diod, tranzistor va kontaktlar tayanch yarimo’tkazgichining kichik qalinlik 
sirt tekkisligida joylashgan. Planar texnologiya (ingilizcha 
planar-
yassi so’zidan 
olingan) diffuzion texnologiyaning rivojlanish mahsulidir. Yarimo’tkazgich sirtida 
o’tqazilgan himoya qatlam tirqishi orqali kirishma diffuziyasi natijasida olingan 
o’tish planar o’tish deyiladi. Kremniyda himoya qatlami sifatida kremniyning o’zida 
vujudga keltirilgan kremniy oksididan foydalaniladi. Planar
 p-n
o’tishning vujudga 
kelish texnologik jarayoni bosqichlari 
9.6-rasmda ko’rsatilgan. Planar 
texnologiyaning asosini fotolitografiya tashkil qiladi. Oksidlangan monokristall 
kremniy plastinka sirtiga fotorezist (FR) yupqa qatlam o’tqaziladi (9.6-rasm,
a).
9.4-rasm.
Diffuzion
 p-n 
o’tishning hosil bo’lishi. 
9.3-rasm.
Qotishmali
 p-n
o’tish tuzilmasi 

---

Fotorezist parda niqob orqali ultrabinafsha nur bilan yoritiladi (9.6-rasm, b). 
Fotorezist ekspozitsiya- langan joyi polimerlanadi va erimay- digan bo’lib qoladi. 
Natijada, yedirgich- da yedirilgan polimerlanmagan joyi yuvilib ketadi. Keyin oksid 
qatlam ochilgan joy yedirigichlar bilan yediriladi, fotorezist bilan himoyalangan joy 
esa qoladi (9.6- rasm, e). Bu amaldan keyin, taglik kremniy plastinkaga diffuziya 
o’tqaziladi. Kirishma diffuziyasi faqat tirqish orqali o’tkaziladi. (9.6-rasm, f). 
DifTuziya yuqori temperaturada o’tkazilganligi uchun sirt yana oksidlanib 
qoladi. Fotolitografiyadan foydalangan holda oksidlanib qolgan joy yediriladi va 
ochilgan joyga metalll kontakt o’tqaziladi. Bu amallar natijasida bitta plastinkada 
bir necha o’n va hatto yuzlab bir xil diod tuzilmalarni olish mumkin. Olingan bu 
planar
 p-n
o’tishlar tuzilmasi kristallarga kesiladi. Ba’zan, diodlarni yig’ish ishini 
osonlashtirish uchun plastinka ikkinchi tomoniga omik kontaktlar o’tqazilishi 
mumkin. Planar
p-n
o’tish tuzilmasining umumiy ko’rinishi 9.7-rasmda 
ko’rsatilgan. 
Planar texnologiyani germaniyda ham qo’llash mumkin. Bu holatda, kremniy 
oksid parda germaniy sirtiga kremniy-organik birikmalarni termik bug’latish bilan 
o’tqaziladi. Planar usulda olingan asboblar guruhining elektr parametridagi farqlar 
eng kichik. Chunki, bu asboblar yarimo’tkazgichli bitta plastinkadan birlik 
texnologiyada 
olinadi. 
Shuning 
uchun 
ham 
planar 
texnologiya 
mikroelektronikaning asosini tashkil qiladi.