6 маъруза мдя-транзистораларасосидагирақамли имсларнинг негиз элементлари

n – МДЯ транзисторларида бажарилган инвертор схемаси

Бу схемаларда юклама сифатида ишлатилаётган VT0 транзисторлар доим очиқ ҳолатда бўлади, чунки уларнинг затворлари кучланиш манбаининг мусбат қутбига туташган. Улар ток чеклагичлар (динамик қаршиликлар) вазифасини бажаради.

• Бу схемаларда юклама сифатида ишлатилаётган VT0 транзисторлар доим очиқ ҳолатда бўлади, чунки уларнинг затворлари кучланиш манбаининг мусбат қутбига туташган. Улар ток чеклагичлар (динамик қаршиликлар) вазифасини бажаради.
• 2ҲАМ-ЭМАС схемада пастки VT1 ва VT2 транзисторлар кетма – кет, 2ЁКИ-ЭМАС схемада эса– параллел уланади.

n – МДЯ транзисторларида бажарилган 2ҲАМ-ЭМАС ва 2ЁКИ-ЭМАС МЭлари

Инвертор учун тезкорлик ва истеъмол қуввати нуқтаи назаридан ЕМ = (2÷3)U0 кучланиш қиймати оптимал ҳисобланади.

• Инвертор учун тезкорлик ва истеъмол қуввати нуқтаи назаридан ЕМ = (2÷3)U0 кучланиш қиймати оптимал ҳисобланади.
• Демак, U0 = 1,5 ÷ 3 В бўлганда ЕМ = 4,5 ÷ 9 В бўлади.
• МДЯТМ элементларда реал U0ЧИҚ қиймати U0 = UҚОЛ ≈ 0,2 ÷ 0,3 В дан катта эмас, U1ЧИҚ қиймати эса U1ЧИҚ ≈ ЕМ.
• Мос равишда мантиқий ўтиш
• МДЯТМ элементнинг яна бир афзаллиги – халақитбардошикнинг юқорилигидадир. БТлардаги МЭларда мантиқий 0 нинг халақитбардошлиги (1÷2)U*, яъни 0,7÷1,4 В бўлганда, МДЯТМ да U0ХАЛ ≈ 1,5 ÷ 3 В бўлади.

Кремний оксидили МДЯ ИСларнинг асосий камчилиги –тезкорликнинг кичиклигидир.

• Кремний оксидили МДЯ ИСларнинг асосий камчилиги –тезкорликнинг кичиклигидир.
• Яна бир камчилиги – катта истеъмол кучланиши бўлиб, у МДЯ ИСларни БТ ИСлар билан мувофиқлаштиришни мураккаблаштиради.
• МДЯ ИСлар асосан унча катта бўлмаган тезкорликка эга бўлган ва кичик ток истемол қиладиган мантиқий схемалар ва КИСлар яратишда қўлланилади.
• МДЯ ИСларда энг юқори нтеграция даражасига эришилган бўлиб, бир кристалда юз минглаб ва ундан кўп компонентлар жойлашиши мумкин.

• Комплементар МДЯ-транзисторларда бажарилган мантиқий элементлар