5-Variant Element

25-Variant
1) Element dep qandayda bir elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondensator hám t.basqalar) funkciyasin ámelge asiriwshi IMS bólimine aytiladi hám ol kristall yaki tiykardan ajiralmaǵan konstrukciyada jasaladi. IMS konponenti dep oniń diskret element funkciyasin orinlattuǵın, biraq dáslepki bólek erkin ónim siyaqli montaj qilinatuǵın bólegine aytiladi. Tiykarǵı IMS konstruktivlik belgilerinen biri bolıp tiykar túri esaplanadi. Bul belgige kóre IMSler eki túrge bólinedi: yarim ótkizgishli hám dielektrik.Tiykar retinde yarım ótkizgishli materiallar arasında kremniy hám galliy arsenide keń qollanıladı. IMS niń bárshe elementleri yaki elementleriniń bir bólegi yarim ótkizgishli monokristall plastina kórinisinde tiykardıń ishinde jaylasadı. Dielektrik tiykarli IMSlerde elementler oniń betinde jaylasadi. Yarim ótkizgish tiykarli mikrosxemalardiń tiykarǵı abzalliǵı – elementlerdiń júdá úlken integraciya dárejesi esaplanadi, biraq oniń nominal parametrleri diapazoni júdá sheklengen bolıp olar bir-birinen izolyaciyalaniwin talap qiladi. Dielektrik tiykarli mikrosxemalardiń abzalliǵı – elementlerdiń júdá jaqsi izolyaciyasi, olardiń qásiyetleriniń Turaqlıliǵı, hámde elementler túri hám elektr parametrleriniń tańlawiniń keńligi.
2) KIS LEIarı tezliginiń kishiligiga qaramastan, MDYA-texnologiyada orınlanar edi. LE tezligin asırıw mashqalası Philips va IBM firmaları tárepinen ВТ tiykarında integral-injeksion logika ( М) negizi elementi jaratılıwına sebep boladı.
 negizgi elementi sxeması 4.14 a-súwrette kórsetilgen. Element VT1 (p, -n- , ) va VT2(n- - ) komplementar BTlardan quralǵan. VT1 tranzistor kiris siynelın inverslewshı VT2 tranzistor ushın baza toki generatorı (injektorı) wazıypasın orınlaydı. VT2 tranzistor, ádette, bir neshe kollektorǵa iye bolıp, element logik shıǵıwların shólkemlestiredi.  túrdegi elementlarda payda etilgen logikalıq sxemalarda, VTI tranzistor emitteri esaplanǵan injektor (I), kernew deregi menen R rezistor arqalı jalǵanadı va onıń qarsılıǵı talap etilgen toktı támiyinleydi. Bunday tok menen támiyinlewshi qurılma.
4) IMS orinlap atirǵan yiykarǵı waziypa – elektr siyneli (tok yaki kernew) li kórinisinde berilip atirǵan informaciyani qayta islew esaplanadi. Elektr siynellari úziliksiz (analog) yaki diskret (sanli) formada ańlatiliwi múmkin.
Usi sebepli, analog siynellardi qayta isleytuǵın mikrosxemalar – analog integral mikrosxemalar (AIM), sanli siynellardi qayta isleytuǵınlari bolsa – sanli integral sxemalar (SIS) dep ataladi.
Sanli sxemalar tiykarinda ápiwayi tranzistorli gilt (ventil) sxemalar jatadi. Giltler eki Turaqlı jaǵdaydi iyelewi múmkin úzilgen hám jalǵanǵan. Ápiwayi giltler tiykarinda bir qansha quramali sxemalar jasaladi: logikalıq, biyTuraqlı, triggerli (iske túsiriwshi), shifratorli, komporatorlar hám basqa, tiykarinan esaplaw texnikasinda qollanilatuǵın. Olar sanli formada ańlatilǵan informaciyani qabil qiliw, saqlaw, qayta islew hám uzatiw funkciyasin orinlaydi.
Integral mikrosxemalardin' quramaliliq dárejesi component integraciya dárejesi shamasi menen ańlatiladi. Bul shama sanli IMSler ushın kristallda jaylasiwi múmkin bolǵan logikalıq ventiller sani menen belgilenedi. 100 den kem ventilge iye bolǵan IMSler kishi integraciya da'rejesine iye bolg'an IMSlerge kiredi. Orta dárejeli IMSler 102, úlken IMSler 102105, óte úlken IMSler 105107 hám ultra úlken IMSler 107 da'rejeden artiq ventillerden quraladi. Bunday klassipikaciyalaw sistemasi analog mikrosxemalar ushında qabil qilinǵan.