5- ma‘ruza: Mavzu: Yarim o’tkazgichli diod va

Mikrosxema elementlari. 

 

Biz  yarim  o‘tkazgichli  IMSlarning  elementlari  bilan  tanishamiz.  Sababi 

paradasimon  IMSlarda  faqat  passiv  elementlar  qarshilik,  sig‘im  va  induktivlik 

hosil  qilinishi  mumkinligi  gapirilgan  edi.  Ular  taglik  sirtiga  o‘tkazuvchan  va 

himoyalovchi moddalarni purkash yoki pardalar qatlami sifatida joylashtirish yo‘li 

bilan  hosil  qilinadi.  Bunda  taglik  dielektrik  materialdan  yasalgani  uchun 

elementlarni  bir-biridan  himoyalashga  hojat  qolmaydi.  Quydagi  birinchi  rasmda 

purkash  yo‘li  bilan  hosil  qilingan  to‘g‘ri  to‘rt  burchak  shaklida  yasalgan 

induktivlik g‘altagi ko‘rsatilgan. 

 

1-расм. 

---

 

Yarim  o‘tkazgichli  IMSlarning  elementlarini  yasash  murakkab  texnologik 

jarayon  bo‘lib,  ularning  turlari  xilma–xildir.  Barcha  jarayonlarning  negizini 

tranzistorlar tarkibi tashkil qiladi, ya‘ni barcha passiv va aktiv elementlar tranzistor 

asosida  hosil  qilinadi.  Asos  tranzistor  vazifasini  bipolchr  yoki  unipolyar 

tranzistorlar bajaradi. 

 

Bipolyar  tranzistorlarni  yasashda  uning  ikki  formulasi  р-n-p  va  n-p-n  dan 

foydalaniladi. Ulardan n-p-n turi eng ko‘p tarqalgan.