3-laboratoriya ishi: Yarimo‘tkazgichli diod parametrlari va xarakteristikalarini tadqiq etish. Ishning maqsadi

Download 496,46 Kb. bet 3/6 Sana 24.12.2022 Hajmi 496,46 Kb. #895445

Bog'liq
3-laboratoriya-1

Bu sahifa navigatsiya:

• Kanali induksiyalangan MDYa-tranzistor xarakteristikalarini tadqiq etish.

USI, V
IS, mA
UZI=0	UZI=0,25UBO‘S	UZI=0,5UBO‘S

3.4. Tranzistor stok tokiga temperatuning ta’sirini tadqiq etish. Tadqiq etilayotgan tranzistorni termostatga joylashtiring va tegishli temperatura qiymatini o‘rnating, stok kuchlanishning U_SI=1/3U_SI.ChEG qiymatida va T=40 ⁰C va 80 ⁰C temperaturalarda ikkita boshqaruv xarakteristikasi I_S=f(U_ZI) ni o‘lchang.

O‘lchash natijalarini 13.3 – jadvalga kiriting va ulardan foydalanib T=40 ⁰C va 80 ⁰C temperaturalardagi ikkita boshqaruv xarakteristikasi I_S=f(U_ZI) ni quring.
13.3 – jadval

UZI, V	IS, mA
	T=40 0S	T=800S

4. Tajribada olingan natijalarni ishlash.

4.1. 3.2. bandda o‘lchangan boshqaruv xarakteriskalarini 13.2 – ifoda yordamida approksimatsiyalang. Approksimatsiya natijalarini Qurilgan I_S=f(U_ZI) grafigida aks ettiring.
4.2. Boshqaruv xarakteristikalaridan foydalanib, tranzistor tikligini U_SI=1/3 U_SI.ChEG ishchi nuqtada aniqlang
(13.9)
S qiymatini xuddi shu nuqta uchun 13.3 – formula yordamida ham aniqlang.
4.3. 3.3 – bandda o‘lchangan chiqish xarakteristikalar oilasida U_{SI TO‘Y} =U_ZI – U_BO‘S oraliqqa mos keluvchi, chiziqli rejim bilan to‘yinish rejimi orasidagi chegarani ko‘rsating.
4.4. Chiqish xarakteristikalar oilasidan foydalanib, quyidagi ishchi nuqtalar uchun tranzistor chiqish qarshiligini aniqlang:
- to‘yinish rejimida (U_SI=1/3U_{SI ChEG}, U_ZI=0,25U_ChEG);
- chiziqli rejimda U_SI=0 va zatvor kuchlanishining uchta qiymatida (U_ZI=0; 0,25U_BO‘S; 0,5U_BO‘S).
Hisoblashlar natijalarini 13.4 – jadvalga kiriting va ulardan foydalanib chiziqli rejim uchun r_ChIQ ning U_ZI ga bog‘liqlik grafigini quring.
13.4 – jadval

UZI,V	RChIQ, kOm
	USI=1/3USI.ChEG	USI=0
UZI=0
UZI=0,25UChEG
UZI=0,5UChEG

1. 
   4.4 – bandda o‘lchangan boshqaruv xarakteristikalarida, turli temperaturalarda o‘lchangan boshqaruv xarakteristikalari kesishadigan termo barqaror nuqtaning I_ST va U_ZIT koordinatalarini aniqlang.
   
4. 
   Laboratoriya ishini bajarib bo’lgandan so’ng dasturda bajargan ishingizni saqlab berilgan jadvallarni to’ldirib xisobat tariqasida topshiring.
   

Kanali induksiyalangan MDYa-tranzistor xarakteristikalarini tadqiq etish.
P – n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardan farqli ravishda MDYa–tranzistorlarda metall zatvor kanal hosil qiluvchi o‘tkazgichli sohadan doim dielektrik qatlami yordamida izolyatsiyalangan. Shu sababli MDYa–tranzistorlar zatvori izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar turiga kiradi. Dielektrik qatlami SiO₂ dielektrik oksidi bo‘lganligi sababli, bu tranzistorlar MOYa – tranzistorlar (metall – oksid- yarim o‘tkazgichli tuzilma) deb ham ataladilar.
MDYa–tranzistorlarning ishlash prinsipi ko‘ndalang elektr maydoni ta’sirida dielektrik bilan chegaralangan yarim o‘tkazgichning yuqori qatlamida o‘tkazuvchanlikni o‘zgartirish effektiga asoslangan. Yarim o‘tkazgichning yuqori qatlami tranzistorning tok o‘tkazuvchi kanali vazifasini bajaradi.
p – kanali induksiyalangan MDYa - tranzistor tuzilmasi 14.1 a –rasmda va uning shartli belgisi 14.1 b- rasmda keltirilgan.
Tranzistor quyidagi chiqishlarga ega: istokdan – I, stokdan – S, zatvordan – Z va asos deb ataluvchi – A kristalldan.
Stok va istoklarning p⁺ - sohalari n – turdagi yarim o‘tkazgich bilan ikkita p–n o‘tish hosil qilganligi sababli, U_SI kuchlanishining biror qutblanishida bu o‘tishlardan biri teskari yo‘nalishda ulanadi va stok toki I_S deyarli nolga teng bo‘ladi.

a) b)
14.1 – rasm.

Tranzistorda tok o‘tkazuvchi kanal hosil qilish uchun zatvorga teskari qutbdagi kuchlanish beriladi. Zatvor elektr maydoni SiO₂ dielektrik qatlami orqali yarim o‘tkazgichning yuqori qatlamiga kiradi, undagi asosiy zaryad tashuvchilar (elektronlar) ni itarib chiqaradi va asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar (kovaklar) ni o‘ziga tortadi. Natijada yuqori qatlam elektronlari kambag‘allashib, kovaklar bilan esa boyib boradi. Zatvor kuchlanishi bo‘sag‘aviy deb ataluvchi ma’lum qiymati U₀ ga yetganda, yuqori qatlamda elektr o‘tkazuvchanlik kovak o‘tkazuvchanlik bilan almashadi va istok va stokni bir – biri bilan bog‘lovchi p- turdagi kanal shakllanadi. bo‘lganda yuqori qatlam kovaklar bilan boyib boradi, bu esa kanal qarshiligini kamayishiga olib keladi. Bu vaqtda stok toki I_S ortadi. 14.1 – rasmda p – kanali induksiyalangan MDYa - tranzistorning stok – zatvor VAXsi keltirilgan.

14.3-rasm
Tajribani quyidagi tartibda olib borish tavsiya etiladi:
- MDYa tranzistor stok zanjiriga chiziqli rezistor R=51 kOm ni ulang;
- kuchlanish manbai qiymatini e2=9 V qilib o‘rnating;
- kirish kuchlanishini 0 dan 9V gacha o‘zgartirib borib, U_ChIQ=f(U_KIR) va I_IST=f(U_KIR) bog‘liqligini o‘lchang;
- qarshilikning R=10 kOm va 3,5 kOm qiymatlari uchun o‘lchashlarni takrorlang;
- tajriba natijalaridan foydalanib U_ChIQ=f(U_KIR) bog‘liqlik grafiklarini quring.
3. Tajribada olingan natijalarni ishlash.
3.1. 2- bandda olingan uzatish xarakteristikalarni quring.
3.2. Har bir kalit uchun mantiqiy signal U⁰ va U¹ sathlari va mantiqiy signallar sathlar farqi ΛU = U¹ – U⁰ni aniqlang.
Olingan natijalarni 14.1 – jadvalga kiriting.
14.1 – jadval

Parametr Yuklama turi	U0, V	U1, V	ΛU, V	PO‘RT, mV
Qarshilikli yuklama
RYu=51kOm
RYu=10kOm
RYu=3,5kOm

3.3. Mantiqiy nol va mantiqiy bir holatlarida manbadan iste’mol qilinayotgan quvvatning o‘rtacha qiymatini aniqlang:

;
4. Laboratoriya ishini bajarib bo’lgandan so’ng dasturda bajargan ishingizni saqlab berilgan jadvallarni to’ldirib xisobat tariqasida topshiring.

Download 496,46 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham: