3. Келдыш Л. В. О влиянии ультразвука на электронный спектр кристалла // фтт. 1962. Т. № С. 2265-2267

1. Эсаки Л., Джойс Б.А., Хекингботтом Р. и др Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: Под ред. Ченга Л., Плога К.: Пер. с англ. -М.: Мир, 1989. -582 с. (362-368)
2. Физика низкоразмерных систем: Учебное пособие / А.Я. Шик, Л.Г. Бакуева, С.Ф. Мусихин, С.А. Рыков. -Санкт-Петербург: Наука, 2001. -160 с. (122-129)
3. Келдыш Л. В. О влиянии ультразвука на электронный спектр кристалла // ФТТ. -1962. -Т. 4. -№ 8. -С. 2265-2267.
4. Кастальский А.А. Новые оптические и электрические эффекты в стоячей световой волне // Письма в ЖЭТФ. -1969. -Т. 10. -№ 7. -С. 328-332.
5. Кастальский А.А., Хусаинов А.Х. О новой возможности получения периодической подрешетки в твердых телах // ФТП. -1970. -Т. 4. -С. 1198-1201.
6. Волков В.А., Пинскер Т.Н. Квантовый эффект размеров в пленках переменной толщины // ФТТ. -1971. -Т. 13. -№ 5. -С. 1360-1363.
7. Esaki L., Tsu R. Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors // IBM J. Res. Dev. -1970. -Vol. 14. -№ 1. -P. 61-65.
8. Алферов Ж.И., Жиляев Ю.В., Шмарцев Ю.В. Расщепление зоны проводимости в «сверхрешетке» на основе GaP_xAs_1-x // ФТП. -1971. -Т. 5. --вып. 1. -С. 196-198.
9. Esaki L. In Proc. of Intern. Conference on Physics of heterojunctions. -Budapest, 1971. -Vol. l. -C. 383.
10. Отениязов Е., Дуйсенбаев М., Кан М.А., Ауезов С.А., Абдикамалов М.А. Неравновесные электронные процессы в многослойных полупроводни-ковых гетероструктурах. Часть 1. Технология изготовления многослой-ных гетероструктур // Вестник ККО АН РУ. -2000. -№ 6-7. -С. 39-41.
11. Отениязов Е., Дуйсенбаев М., Кан М.А., Ауезов С.А., Абдикамалов М.А. Неравновесные электронные процессы в многослойных полупроводниковых гетероструктурах. Часть 2. Токи монополярной и двойной инжекции в широкозанных полупроводниках // Вестник ККО АН РУ. -2001. -№ 1-2. -С. 39-41.
12. Отениязов Е., Дуйсенбаев М., Кан М.А., Ауезов С.А., Абдикамалов М.А. Неравновесные электронные процессы в многослойных полупровод-никовых гетероструктурах. Часть 5. Оптоэлектронные свойства много-слойных структур и сверхрешетки на основе широкозонных полу-проводников // Вестник ККО АН РУ. -2001. -№ 6. -С. 34-36.
13. Шик А.Я. Оптические свойства сверхрешеток из полупроводников со сложной зонной структурой // ФТП. -1972. -Т. 6. -№ 7. -С. 1268-1277.
14. Козловский Ю.А., Неустроев Л.Н., Фотоэлектрические явления в полупроводниках // Тез. докл. II Всесоюз. научн. конф. 24-26 октября 1989 г. -Ташкент, 1989. -С. 443.
15. Capasso F., Mohammed K., Cho A. Resonant Tunneling Through Double Barriers, Perpendicular Quantum Transport Phenomena in Superlattices, and Their Device Applications. // J. Quant. Electron. -1986. -V.QE-22. -№ 9. -P. 1611-1624.
16. Ермакова О.Н., Ермаков М.Г., Перов П.И. Фотоэлектрические явления в полупроводниках // Тез. докл. Всесоюз. научн. конф. 24-26 октября, -Ташкент, 1989. С. 424.
17. Шик А.Я. Внутризонная фотопроводимость гетероструктур с квантовыми ямами. // -ФТП. -1986. -Т. 20. -№9. -С. 1598-1604.
18. Levine B.F. et al. GaAs/AlGaAs quantum well long wavelength infrared detector with delectability comparable to CdHgTe // Electron. Lett. -1988. -Vol. 24. -№ 4. -C. 747-750.
19. Неустроев Л.Н., Осипов В.В., Стафеев В.И. Фотоэлектрические явления в полупроводниках // Тез. докл. Всесоюз. научн. конф. 24-26 октября, -Ташкент, 1989. С. 132-133.
20. Серженко Ф.Л., Шадрин В.Д. Теория инфракрасных фотоприемников на основе структур n-Si-Si_1-xGe_x с квантовыми ямами // ФТП. -1992. -Т. 26. -В. 3. -С. 491-499.
21. Vinter B., Levine B. Intersubland Transitions in Quantum // Wells. Rosencher. -1992. -№ 4. Р.46-52.
22. Петров А.Г., Шик А.Я. Междуровневые оптические переходы квантовых ямах // ФТП. -1993. -Т. 27. -В. 6. -С. 1047-1057.
23. Ramesh, S.; Kobayashi, N.; Horikoshi, Y. Migration-enhanced epitaxy growth and characterization of high quality ZnSe/GaAs superlattices // -Applied Physics Letters. -1990. -Volume 57. -Issue 11. -pp. 1102-1104.
24. Шерстобитов А.А., Миньков Г.М. Проявление размерного квантования в широких легированных ямах // ФТП. -2001. -Т. 35. -В. 6. -С. 754-758.
25. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. -1998. -Т. 32. -вып. 1. -С. 3-18.
26. Дуйсенбаев М., Дуршимбетов К., Насыров У., Кан М.А., Ауезов С.А. In: Abstracts Symposium B Functioned materials f(r) Information Recording and Radiation. -Kiev, 1999. P. 36-37.
27. Карпович И.А., Планкина С.Н. Фотоэлектрический метод определения коэффициента оптического поглощения и его применение к полуизоли-рующему GaAs // ФТП. -1992. -Т. 26. -В.7. -С. 1313-1326.
28. Шеховцев Л.В., Венгер Е.Ф., Семенова Г.Н., Садофьев Ю.Г., Корсунская Н.Е., Семцев М.П., Сапко С.Ю. Особенности долговременной релаксации фотоэдс в гетероэпитаксиальной структуре ZnSe-GaAs // Письма в ЖТФ. -2000. -Т. 26. -вып. 5. -С. 23-30.
29. Шейнкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках // ФТП. -1976. -Т. 10. -№ 2. -С. 209-233.
30. Muminov R.A., Kanyazov Sh.K., Saymbetov A.K. Relaxation process of photoconductivity in p-i-n structures // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. -2010. -V. 13. -№ 3. -P. 258-260.
31. Шеховцев Л.В., Саченко А.В., Шварц Ю.М. Поперечная фото ЭДС в гетероэпитаксиальной структуре // ФТП. -1995. -Т. 29. -вып. 3. -С. 566-574.