23-var. Integral mikrosxema (ims)

OKniń differencial jalǵaniwi. OKniń differencial jalǵaniw sxemasi keltirilgen. Kirxgof nızamina tiykarlanip . (Bunda в) qaǵiydasi bolsa, ol halda .

4. Perdeli IS – bul dielektrik tiykar betine jaǵıǵan elementleri perde kórinisinde orinlanǵan mikrosxema. Perdeler tómen basimda túrli materiallardan juqa perdeler kórinisinde shókpeler hasil qiliw joli menen alinadi.Perde hasil qiliw usili hám oǵan baylanisli bolǵan qalińliǵına kóre juqa perdeli IS (perde qalińliǵı 1 – 2 mkm ǵe shekemgi) hám ва qaliń perdeli IS (perde qalińliǵı 10 – 20 mkm ǵe shekemgi hám ulken) lerge bólinedi.Házirgi kúnde Turaqlı perdeli diodlar hám tranzistorlar aytarliqtay joq, usi sebepli perdeli ISlar tek passiv elementleri rezistorlar, kondensatorlar hám t. b.) dan payda etilgen.Gibridli IS (yaki GIS) – bul perdeli passiv elementler menen diskret aktiv elementler kombinaciyasinan payda etilgen, jalǵız dielektrik tiykarinda jaylasqan mikrosxema. Diskret konponentlerdi ildirmeli elementler dep ataydi. Korpussiz yaki mikrominiatyur metal korpusli mikrosxemalar gibridli. IMS ler ushın aktiv elementler bolıp esaplanadi. Gibridli integral mikrosxemalardiń tiykarǵı abzalliǵı: salistirmali qisqa islep shiǵıw waqtinda analog hám sanli mikrosxemalardiń keń túrlerin jaratiw múmkinshiligi; keń nomenklaturaǵa iye bolǵan passiv elementler hasil qiliw múmkinshiligi; MDYa – áspablar, diodli hám tranzistorli matricalar hám joqarı jaramli mikrosxemalardiń shiǵıwi sanaladi. Tranzistordiń paydalaniw túrine kóre yarim ótkizgishli IMS lerdi bipolyar hám MDYA IMS lerge ajiratiw qabil qilinǵan. Bunnan tisqari, keyingi waqitlarda basqariliwshi ótiwli maydanli tranzistorlar jasalǵan IMS lerden paydalaniw úlken áhmiyetke iye. Bul klassqa galliy arsenidinde jasalǵan IMS ler, zatvorlı Shottki diode kórinisinde orinlanǵan maydanli tranzistorlar kiredi. Házirgi kúnde bir waqittiń ózinde de bipolyar, hám maydanli tranzistorlar qollanilǵan IMS ler jaratiw tendenciyasi belgilenbekte. Eki klassqa tiyisli yarim ótkizgishli IMS ler texnologiyasi yarim ótkizgish kristallin izbe-iz donor hám acceptor aralaspalari menen legirlew (kiritiw)ge tiykarlanǵan. Nátiyjede bet astinda túrli ótkiziwsheńlikke iye bolǵan juqa qatlamlar, yaǵniy n–p–n yaki p–n–p strukturali tranzistorlar hasil boladı. Bir tranzistordiń ólshemleri eni bir neshe mikrometrlerdi quraydi. Oz aldina bólek elementlerdiń izolyaciyasi yaki р-n ótiw járdeminde, yaki dielektrik perde járdeminde ámelge asiriliwi múmkin. Tranzistorli struktura tek tranzistorlardi emes, balki basqa elementler (diodlar, rezistorlar, kondensatorlar) jasawda qollaniladi.Mikroelektronikada bipolyar tranzistorlardan tisqari kóp emmiterli hám kóp kollektorli tranzistorlar da qollaniladi.Kóp emmiterli tranzistorlar (KET) uliwma baza qatlami menen birlestirilgen bir kollektor hám bir neshe (8-10 ǵa shekem hám onnanda kóp) emmiterden quralǵan. Olar tranzistor – tranzistorli logika (TTL) sxemalarin jaratiwda qollaniladi.
5. IMS lerde tiykarinan zatvori izolyaciyalanǵan hám kanali indukciyalanǵan MDYA – tranzistorlar qollaniladi. Transistor kanallari р- hám n– túrli boliwi múmkin. MDYA – tranzistorlar tek tranzistorlar retinde emes, bálki kondensatorlar hám rezistorlar retinde de qollaniladi, yaǵniy bárshe sxema funkciyalari bir ǵana MDYA – strukturalarda ámelge asiriladi. Eger dielektrik retinde SiO₂ qollanilsa, ol halda bul tranzistorlar MOYA – tranzistorlar dep ataladi. MDYA – strukturalardi jaratiwda elementlerdi bir-birinen izolyaciya qiliw operaciyasi joq, sebebi qońsi tranzistorlardiń istok hám stok oblastlari bir-birine baǵıtlanǵan tárepte jalǵanǵan р-n ótiwler menen izolyaciyalanǵan. Sol sebspli MDYA – tranzistorlar bir-birine júdá jaqin jaylasiwi múmkin, demek úlken tiǵızliqti támiyinleydi.Bipolyar hám MDYA IMSler planar yaki planar – epitaksial texnologiyadа jasaladi.Planar texnologiyadа n-р–n tranzistor strukturasin jasawda р–túrdegi yarim ótkizgishli plastinaniń bólek oblastlarina tesikleri bar bolǵan arnawli maskalar arqali jergilikli legirlew ámelge asiriladi. Betin iyelewshi kremniy eki oksidi SiO₂ oynaydi. Bul perdede arnawli usillar (fotolitografiya) járdeminde aynasha dep ataliwshi tesikler qáliplesedi. Aralaspalar yaki diffuziya (joqarı temperaturada olardiń koncentraciya gradient tásirinde aralaspa atomlarin yarim ótkizgishli tiykarǵa kiritiw), yaki ionli legirlew járdeminde ámelge asiriladi. Ionli legirlewde arnawli dereklerden alinǵan aralaspa ionlari tezlesedi hám elektr maydanda fokuslenedi, tiykarǵa túsedi hám yarim ótkizgishtiń bet qatlamina sińedi. Planar texnologiyadа jasalǵan yarim ótkizgishli bipolyar strukturali IMS úlgisi hám omiń ekvivalent elektr sxemasi 1 а, б - súwrette keltirilgen.
Diametri 76 mmli jalǵız tiykarda bir korpusli usilda bir waqittiń ózinde hár biri 10 nan 2000 ǵa shekem element (tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar) dan quralǵan 5000 mikrosxema jaratiw múmkin. Diametri 120 mm bolǵan olastinada onlap millionǵa shekemgi element jaylastiriwi múmkin.