2-практика. Биполяр транзисторлар параметрларини хисоблаш

2-практика. Биполяр транзисторлар параметрларини хисоблаш

1. 
   ГТ322A tranzistor umumiy emitter sxemasi bo’yicha ulangan. Uning tavsiflari 2.1 a,b rasmlarda keltirilgan. Tranzistorning h-parametrlarini aniqlang (U_k=5V, I_b=150mkA). Tranzistorni almashtirish sxemasini chizing.
   

2.1.–rasm

2. 
   Umumiy emitter sxemasi bo’yicha ulangan tranzistiorda I_b=20mkA, I_k=1mA. α va β uzatish koeffisientlarini aniqlang (I_k0=0 deb hisoblansin).
   
3. 
   Umimiy emitter sxememasi bo’yicha ulangan tranzistor uchun β =100, I_k=1mA. Baza to’ki I_b, emitter to’ki I_E, uzatish koeffitsient α aniqlansin.
   
4. 
   Umumiy emitter sxemasi bo’yicha ulangan tranzistiorning baza to’ki o’zgarganda kollektor to’ki 5mAga, emmiter toki esa 5,12 mAga o’zgargan. Tranzistorning uzatish koeffisiensentlarini aniqlang.
   
5. 
   Umimiy baza sxemasi uchun α= 0,96. Umumiy emitter sxemasi uchun uzatish koeffitsientni aniqlang.
   
6. 
   Umumiy emitter sxemasi bo’yicha ulangan KT315A tranzistorning baza to’ki 0,1mA ga o’zgargan. Baza to’kini uzatish koeffitsient h_21b= 0,975. Emitter to’kining o’zgarishini aniqlang.
   
7. 
   2
   .2. – rasmda umumiy emitter sxemasi bo’yicha ulangan KT339A tranzistorning chiqish tavsiflari keltirilgan. A ishchi nuqta uchun I_b baza to’kini, U_k kollektor kuchlanishini aniqlang. A nuqtada I_k=6 mA, kollektorda tarqaluvchi quvvat P_k =72mVt.
   

2.2. – rasm