2-Mavzu. Kompyuterlarni tashkil qilishning raqamli mantiqiy asoslari

PCM fazali xotira. Ma’lumotlar tashuvchisi sifatida xalkogenid shishasining mikroskopik zarralari xizmat qiladi, ular ikki holatdan birida bo’lishi mumkin. Bu holatlar (fazalar) optik va elektr xususiyatlari bo’yicha farq qiladi. Issiqlik ta’sirida material bir holatdan ikkinchisiga o’zgarishi mumkin. Optik xotira qurilmalarida bunday isitish lazer nurlari yordamida amalga oshiriladi. PCM holatida usitish material orqali elektr tokini o’tkazish bilan isitilad, qizigan qism kiradigan holat tokning kattaligiga, kuchlanishga va isitish davomiyligiga bog’liq. Odatiy (sovuq) holatda material yuqori elektr qarshiligiga ega amorf shihsasimon tuzilishga ega. Yuqori harorat ta’sirida (Selsiy bo’yicha 600 darajagacha) material kristallanadi va juda past qarshilikka ega bo’ladi. Amorf fazadagi yuqori qarshilik ikkilik “0” ni, kristall fazasidagi past qarshilik “1” ni ifodalash uchun ishlatiladi. Potentsial ravishda fazali o’tish 5 ns dan kam vaqt ichida sodir bo’lishi mumkin, ammo tajribalarda shu paytgacha 16 ns darajadagi qiymatga erishish mumkin edi. Umuman olganda, PCM yaycheykalar tarkibini flesh xotiradan 10 baravar tezroq o’chirishi mumkin va qayta yozish tezligi flesh xotiradan etti baravar tezroq.
PCM ma’lumotlarni tez yozish talab etiladigan foydalanish qulay, chunki texnologiya butun bir yaycheykalarni o’chirmasdan alohida bitlarning qiymatlarini o’zgartirshga imkon beradi. Bundan tashqari, PCM xotira elementlari tezkor. PCM-ning flesh xotiradan yana bir afzalligi shundaki, mikrosxemaning tanazzulga uchragan holda qayta yozish tsikllari soni 100 millionga etadi.