2-маъруза. Биполяр транзисторлар

- radar иловалари учун транзисторлар ВҲФ / УҲФ / Л-бантлар
- Radar иловалари учун транзисторлар С-банд
-кўтарувчи субмодулалар (паллалар)
с-бандли иловалар учун транзисторли-илова кучайтиргичлар

Карбон нанопарчалари транзисторлар

Улар арзон електрон қурилмалар даврида айланади, бу янги технология ишлаб чиқувчилар кўра ( Японияда Финляндия Aalto университети ва Nagoya университети олимлари халқаро жамоаси).)

MOSFET параметрлар

Тиристорлар

• Tиристорлар-уч (ёки ундан ортиқ) п-н кавш қайтарувчи ярим ўтказгичли асбоблар,
• иккита барқарор ҳолатга ега ва кучли електрон калит сифатида ишлатилади.
• Ёпиқ ҳолат-паст ўтказувчанлик ҳолати
• Очиқ ҳолат-юқори ўтказувчанлик ҳолати

Тиристорлар

диодли тиристорлар - dинисторлар
triode тиристорлар - тиристорлар

Динисторлар контакциз коммутация қурилмалари сифатида ишлатилади.

Операцион тамойили.

Асосий заряд ташувчилар аноддан асос 1 га, катоддан еса асос 2 га ўтиб, улар базаларда асосий бўлмаган ва интенсив зарядли рекомбинацияга айланади, натижада еркин заряд ташувчилар сони камаяди. Бу заряд ташувчилар коллектор бирлашмасига яқинлашадилар, бу майдон улар учун тезлашадиган бўлади, кейин базадан ўтиб, очиқ emitter бирикмасидан ўтади, чунки базаларда улар яна асосийга айланади.

Emitter жарохатларидан ўтгандан сўнг електронлар анодга, тешиклар еса - катодга ўтиб, бу ерда улар яна асосий бўлмаган ва иккинчи marta интенсив рекомбинация содир бўлади. Натижада динистордан ўтган зарядлар сони жуда кам бўлади ва форвард токи ҳам жуда кам бўлади. Кучланиш ортган сари олдинга ток оз ортади, чунки ташувчи тезлик ортади ва рекомбинация интенсивлиги камаяди. Кучланиш маълум бир қийматга ошганда коллектор бирикмасининг електр бузилиши содир бўлади. Динисторнинг қаршилиги кескин камаяди, у орқали оқим жуда ошади ва унинг бўйлаб кучланиш пасайиши сезиларли даражада камаяди - динистор офф учун кетди.