1947 yilning 23 dekabrida 3ta amerika fiziklari

toʼk = (t1,0k + t0,1k)/2
TK tezkor kalit funktsiyasini bajaradi va 2 ta asosiy holatga ega: ulanmagan, tranzistorning kesish rejimiga toʼgʼri keladi (tranzistor yopiq), va ulangan, toʼyingan rejimi.
Bir turdagi MDYa – tranzistorlar asosidagi mantiq elementlar Аxborotni qayta ishlash va saqlash vazifalarini bajaruvchi zamonaviy mikroelektron apparatlarda turli integratsiya darajasiga ega boʼlgan IMSlar ishlatiladi.
TTM va EBM elementlari yuqori tezkorlikni taʼminlaydilar, ammo isteʼmol quvvati va oʼlchamlari katta boʼlganligi sababli, faqat kichik va oʼrta integratsiya darajasiga ega boʼlgan IMSlar yaratishdagina qoʼllaniladi.
1962 yilda planar texnologik jarayon asosida kremniy oksidili (SiO2) MDYa – tranzistor yaratilgandan soʼng, uning asosida guruh usulida ishlab chiqarish yoʼlga qoʼyildi.
Integral BTlardan farqli ravishda bir turdagi MDYa integral tranzistorlarda izolyatsiyalovchi choʼntaklar hosil qilish talab etilmaydi. Shuning uchun, bir xil murakkablikka ega boʼlganda, MDYa – tranzistorli IMSlar BTlarga nisbatan kristalda kichik oʼlchamlarga ega va yasalish texnologiyasi sodda boʼladi.