1947 yilning 23 dekabrida 3ta amerika fiziklari

Termik oksidlash. Termik oksidlash – kremniy sirtida oksid (SiO2) qatlam (parda) hosil qilish maqsadida sunʼiy yoʼl bilan oksidlashdan iborat jarayon. U yuqori (1000÷1200) 0S temperaturalarda kechadi.
Fotolitografiya - yarimoʼtkazgich plastinadagi metall yoki dielektrik pardalar sirtida maʼlum shakldagi lokal sohalarni hosil qilish jarayoni. Ushbu sohalar kimyoviy yemirishdan himoyalangan boʼlishi shart.
Fotolitografiya jarayonida ultrabinafsha nur taʼsirida oʼz xususiyatlarini oʼzgartiruvchi, fotorezist deb ataluvchi, maxsus moddalar ishlatiladi