13 лаборатория иши

1- лаборатория иши (2 соат)

ИНТЕГРАЛ МИКРОСХЕМАЛАР ТАЙЁРЛАШ ТЕХНОЛОГИЯСИ ВА УЛАРНИНГ ТУРЛАРИ БИЛАН ТАНИШИШ

Ишнинг ма³сади.


ИМС тайёрлаш технологиясининг асосий бос³ичлари уларнинг топологияси билан танишиш ва ИМС белгиланиш тизимини ´рганиб чи³иш.


1. ¤³ув топшири²ининг мазмуни.
1.1. Белгиланиш тизимини ´рганиб чи³иш ва берилган ИМС лар мажмуидаги µар бир ИМС учун ³ис³ача характеристика бериш;
- функционал вазифаси, технологиясининг тури, ³´лланиш соµаси, асосий электр параметрлари;
1.2. Микроскоп ёрдамида кузатилаётган ИМС кристаллининг структурасини чизиш ва тушунтириб бериш.


2. Лаборатория ишини бажариш б´йича услубий к´рсатмалар.
2.1. Иш бажариш тартиби:
2.1.1. Намойиш ³илувчи макет ва к´ргазмали ³уроллар билан танишиб чи³инг.
2.1.2. Берилган мажмуадаги ИМС нинг номерини, турининг классификацияси ва µар бир ИМС туркумини ани³ланг.
2.1.3. Маълумотномадан фойдаланиб ´рганилаётган ИМСга характеристика беринг: бажаридиган вазифаси, ³´лланиш соµаси, асосий электр параметрлари.
2.1.4. ИМС тайёрлаш асосий бос³ичларидан фойдаланиб, ИМС таёрлаш технологик бос³ичларининг кетма-кетлиги µа³ида умумий баён беринг ва уларга ³ис³ача характеристика беринг.
2.1.5. Ярим ´тказгич пластина намунасини микроскопнинг к´риниши соµасига ´рнатинг, ани³ тасвирга эришинг ва к´ринаётган тасвирни чизиб олинг.
2.1.6. Кузатилаётган тасвир ³айси технологик бос³ичга таълу³ли.
2.1.7. Микроскоп остида тугалланган кичик ва ´рта даражали интеграциядаги ИМС топологиясини к´рикдан ´тказинг.


2.2. ¥исобот мазмуни


¥исобот ³уйидагилардан иборат б´лиши керак:


2.2.1. £уйидаги мажмуадаги ИМСларнинг асосий белгила-нишлари (2.1.2 - банд);
2.2.2. Берилган мажмуадаги µар бир ИМС учун ³ис³ача характеристика (2.1.3. - банд);
2.2.3. Ярим´тказич ва гибрид ИМСлар тайёрлаш технологик бос³ичларини баёни;
2.2.4. Микроскоп остида кузатилаётган ИМС кристалли структурасининг расми ва шу расмга мос келувчи технологик бос³ич моµиятининг баёни.

АДАБИЁТЛАР

1. 
   Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. Связь., М.: 1975 § 3.1-3.3, 4.1-4.4, 3.6-3.9, 4.10-4.13, 8.1-8.4.
   
2. 
   Ефимов И.Е., Горбунов И.Ю., Козыр И.Я. Микроэлектроника. Высшая школа. М.: 1977 § 8.1-8.4.