12-Ma’ruza. Biqutbli tranzistorlarning ulanish sxyemalari

12-Ma’RUZA. BIQUTBLI TRANZISTORLARNING ULANISh SXYeMALARI


Reja:

1. 
   Umumiy baza sxemasi.
   
2. 
   Umumiy emitter sxemasi.
   
3. 
   Umumiy kollektor sxemasi.
   

Elektr signalni kuchaytirish uchun tranzistor zanjiriga ikkita manba- kirish signalining va t a’minlashning manbalarini ulash kerak.Tranzistorda uchta (emitter, baza, kollektor), manbalarda esa to‘rtta chiqish bo‘lganligi sababli tranzistorning chiqishlaridan bittasi ikkala manba uchun ham umumiy bo‘ladi, ya’ni bir vaqtning o‘zida ham kirish zanjirining, ham chiqish zanjirining tarkibiga kiradi. bunday belgiga qarab uch xil ulanish sxemasi farqlanadi: umumiy bazali (UB),umumiy emitterli (UE) va umumiy kollektorli (UK).
12.1- rasmda tranzistorni umumiy baza bo‘yicha ulashning prinsipial elektr sxemasi keltirilgan.



12.1- rasm. Tranzistorning umumiy baza sxemasi bo‘yicha ulanishi.

Bu ulanish sxemasini xarakterlaydigan asosiy parametrlarni quyidagicha olamiz:

1. 
   Tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti:
   

. (12.1)
Ifodadagi “B” indeksi ushbu parametrning umumiy baza bo‘yicha ulanish sxemasiga taalluqli ekanini ko‘rsatadi.

2. 
   Kirish qarshiligi:
   

. (12.2)
(12.2) dan kelib chiqadiki, umumiy baza sxemasi bo‘yicha ulangan tranzistorning kirish qarshiligi juda kichik va asosan to‘g‘ri yo‘nalishda ulangan emitter o‘tishining qarshiligi bilan aniqlanadi. Amalda u bir necha Om … bir necha o‘n Omni tashkil qiladi. Buni kuchaytirish kaskadining kamchiligi deb hisoblasa bo‘ladi, chunki bu ‘ol kirish signali manbasining yuklanishiga olib keladi.
3. Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti:


. (12.3)
Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti ancha katta (bir necha o‘n … bir necha yuz) bo‘lishi mumkin, chunki asosan yuklama qarshiligi va kirish qarshiligi larning nisbati bilan aniqlanadi.

3. 
   Quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti:
   

. (12.4)
Real sxemalar uchun quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffitsientining qiymati bir necha o‘n … bir necha yuzlarni tashkil etadi.
Tranzistorni umumiy emitter bo‘yicha ulash sxemasida (12.2- rasm) kirish signali manbasi emitter o‘tishiga nisbatan avvalgiday to‘g‘ri yo‘nalishda ulangan; ta’minlash manbasi esa kollektor o‘tishiga nisbatan teskari va emitter o‘tishiga nisbatan to‘g‘ri yo‘nalishda ulangan
Kirish signali manbasi ning ta’siri ostida baza zanjiridan tok oqadi; emitter sohasidan baza sohasiga ta’shuvchilarning injektsiyasi ro‘y beradi; ularning bir qismi kollektor o‘tishining maydoni ta’siri ostida kollektor sohasiga o‘tkazib yuboriladi va ular shunday qilib kollektor zanjiri dagi tok ni tashkil qiladi, bu tok ta’minlash manbasi ta’siri ostida emitter va baza orqali oqadi. shu sababli:


. (12.5)
sxemada kirish toki baza toki , ciqish toki esa kollektor toki bo‘ladi. chiqish kuchlanishi yuklama qarshiligi dagi kuchlanishning tushishi bo‘ladi.
Bu ulanish sxemasini xarakterlaydigan asosiy parametrlar quyidagi ifodalar yordamida aniqlanadi:

1. 
   Tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti:
   

12.2- rasm. Tranzistorning umumiy emitter sxemasi bo‘yicha ulanishi.
, (12.6)
Bu ifodadagi kasrning sur’at va maxrajlarini emitter toki ga b o‘lib quyidagi munosabatni olamiz:


. (12.7)

Kirish signali manbasi ning ta’siri ostida baza zanjiridan tok oqadi; emitter sohasidan baza sohasiga ta’shuvchilarning injektsiyasi ro‘y beradi; ularning bir qismi kollektor o‘tishining maydoni ta’siri ostida kollektor sohasiga o‘tkazib yuboriladi va ular shunday qilib kollektor zanjiri dagi tok ni tashkil qiladi, bu tok ta’minlash manbasi ta’siri ostida emitter va baza orqali oqadi. shu sababli:

. (12.5)
shemada kirish toki baza toki , ciqish toki esa kollektor toki bo‘ladi. chiqish kuchlanishi yuklama qarshiligi dagi kuchlanishning tushishi bo‘ladi.
Bu ulanish sxemasini xarakterlaydigan asosiy parametrlar quyidagi ifodalar yordamida aniqlanadi:

2. 
   Tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti:
   

, (12.6)
Bu ifodadagi kasrning sur’at va maxrajlarini emitter toki ga b o‘lib quyidagi munosabatni olamiz:


. (12.7)
(12.7) ifodadan ko‘rinib turibdiki, birga yaqin kattalik bo‘lgani sababli umumiy emitter bo‘yicha ulash sxemasida tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti ancha katta qiymatga ega (bir necha o‘n … bir necha yuz).
2. Umumiy emitter sxemasi bo‘yicha ulangan tranzistorning kirish qarshiligi:


, (12.8)
Bu ifodadagi sur’at va maxrajni emitter toki ga bo‘lib quyidagini olamiz:


. (12.9)
bundan kelib chiqadiki, >> , ya’ni bu parameter bo‘yicha umumiy emitter sxemasi umumiy baza ancha ustundir.Umumiy emitter sxemasi uchun kirish qarshiligi bir necha yuz Om… bir necha kOm oralig‘ida yotadi.

3. 
   Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti:
   

. (12.10)
unga (8.8) dan ni qo‘yib, quyidagi ifodani olamiz:


, (12.11)
ya’ni kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti bu sxemada ham xuddi umumiy baza sxemasidagi kabi - va bir necha o‘n … bir necha yuzni tashkil qiladi.

4. 
   Quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti:
   

. (12.12)
Uning qiymati umumiy baza sxemasinikiga nisbatan ancha katta (bir necha yuz … bir necha o‘n ming).
Umumiy kollektor bo‘yicha ulash sxemasi.
Qabul qilingan farqlash belgilariga ko‘ra tranzistorni umumiy kollektor bo‘yicha ulash sxemasi 12.3- rasm, a da ko‘rsatilgan. Lekin bu ‘olda tranzistor invers shaklda ulanib qoladi, bu esa oldingi ma’ruzada keltirilgan xususiyatlariga ko‘ra kerak emas. Shu sababli emitter va kollektorning o‘rinlari mexanik ravishda almashtiriladi hamda tranzistorning normal ulanishiga ega bo‘linadi (12.3- rasm,b).

12.3- rasm. Tranzistorning umumiy kollektor bo‘yicha ulanish sxemasi.

Bu sxemada yuklama qarshiligi kirish zanjiriga ulangan; kirish toki – bu baza toki , chqish toki esa emitter toki dir.

Ushbu sxemaning asosiy parametrlari quyidagilardir:

1. 
   Tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti:
   

. (12.13)
bu kasrning sur`ati va maxrajini emitter toki ga bo‘lib, quyidagini olamiz:


, (12.14)
ya’ni tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti umumiy kollektor sxemasida ham deyarli umumiy emitter sxemasidagi kabi:
.

2. 
   Kirish qarshiligi:
   

. (12.15)
bu ifodani o‘zgartirib, quyidagini olamiz:


. (12.16)
Olingan ifodadan ko‘rinib turibdiki, bu ulanish sxemasidagi kirish qarshiligi ko‘rib chiqilgan sxemalarning ichida eng kattasi ekan (bir necha o‘n … bir necha yuz kom).
3. Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti:


. (12.17)
Bu ifodani (8.14) va (8.16) larni hisobga olgan ‘olda o‘zgartiramiz:


. (12.18)
juda kichik kattalik bo‘lgani sababli uni hisobga olmasak, u ‘olda bo‘ladi, ya’ni bu sxemada kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish bo‘lmaydi.

3. 
   Quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti:
   

, (12.19)
Amalda u bir necha o‘n … bir necha yuz oralig‘ida bo‘ladi.
Umumiy kollektor sxemasini ko‘pincha emitter takrorlagichi deb atashadi, chunki birinchidan yuklama emitter zanjiriga ulangan, ikkinchidan esa chiqish kuchlanishi kirish kuchlanishini qiymat bo‘yicha ham, faza bo‘yicha ham yuqori aniqlikda takrorlaydi.
8.1- jadvalda biqutbli tranzistorning ulanish sxemalari parametrlari qiymatlarining diapazonlari keltirilgan.

12.1- jadval. Biqutbli tranzistor ulanish sxemalarining parametrlari.

Parametr	UB sxemasi	UE sxemasi	UK sxemasi
Tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti