10 maʼruza Oddiy va murakkab invertorli ttm reja Sodda invertorli ttm me sxemasi

Sxemadan foydalanib 2HАM-EMАS va 2YoKI-EMАS mantiqiy amallarini bajaruvchi MElarni tuzish mumkin

Download 424,5 Kb.

1 2 3 4 5 6 7 8 9

Bog'liq
10-maruza1

Sxemadan foydalanib 2HАM-EMАS va 2YoKI-EMАS mantiqiy amallarini bajaruvchi MElarni tuzish mumkin.
IIM sxemalar tezkorligi injektsiya toki II ga kuchli bogʼliq boʼlib, tok ortgan sari ortadi.
Bu vaqtda АQU ozgina ortadi va 4÷0,2 pDjni tashkil etadi.
Element qayta ulanishining oʼrtacha kechikish vaqti 10÷100 ns, yaʼni TTM elementnikiga nisbatan bir necha marta katta. Аmmo quvvat isteʼmoli 1-2 tartibga kichik boʼladi.
Mantiqiy oʼtish kichikligi tufayli IIM elementining xalaqitbardoshligi ham kichik (20÷50 mV) boʼladi.
Shuning uchun bu sxemalar faqat KIS va OʼKISlar tarkibida va kichik integratsiya darajasiga ega mustaqil ISlar sifatida qoʼllaniladi.
I2M MEning X kirishiga statik rejimda mantiqiy 1ga mos kuchlanish berilganda manba YeM dan energiya isteʼmol qilishi, uning kamchiligi hisoblanad

Emitterlari bogʼlangan mantiq (EBM) elementni yaratilishiga raqamli qurilmalar tezkorligini oshirish muammosi sabab boʼlgan. EBM elementda qayta ulanuvchi tranzistor yoki berk, yoki ochiq boʼladi va bazada qoʼshimcha noasosiy zaryad tashuvchilar toʼplanayotganda BT toʼyinish rejimida ishlaydi. Tranzistorni bir holatdan ikkinchisiga oʼtishi uzoq kechadigan jarayon boʼlganligi sababli, TTM element tezkorligi cheklangan. BTdagi kalit inertsiyaliligini kamaytirish maqsadida shunday sxemalar yaratish kerakki, unda qayta ulanuvchi tranzistor ochiq holatda aktiv rejimda ishlasin.
EBM shunday sxemotexnik yechimlardan biri hisoblanadi. BTning toʼyinmagan rejimi yuklama va parazit sigʼimlarni tez qayta zaryadlanishi uchun talab qilinadigan ishchi toklarni oshirish imkonini beradi. Qayta ulanuvchi element ulanish vaqti minimumga keladi. Bu vaqtda BTning berkilish vaqti ortmaydi. Shu sababli EBM elementlar yuqori tezkorlikka ega.

Download 424,5 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:

1 2 3 4 5 6 7 8 9