10 maʼruza Oddiy va murakkab invertorli ttm reja Sodda invertorli ttm me sxemasi

KMDYa tranzistorlarida bajarilgan invertor sxemasi

• KMDYa-tranzistorlarda HАM-EMАS va YOKI-EMАS mantiqiy amallar oson tashkil etiladi.
• HАM-EMАS mantiqiy amali kirish tranzistorlarini ketma – ket ulash yoʼli bilan, YOKI-EMАS mantiqiy amali esa – ularni parallel ulash yoʼli bilan amalga oshiriladi.
• Bu vaqtda har bir kirish uchun kalit-invertorni hosil qiluvchi ikkita tranzistor talab qilinadi.
• Yuklamadagi p – kanalli va qayta ulanuvchi n – kanalli tranzistorlarning bunday kombinatsiyasi KMDYa – tranzistorlarning asosiy xossasi – statik rejimda ixtiyoriy kirish signalida tok isteʼmol qilmaslik shartini saqlab qoladi.

• 2HАM-EMАS sxemada yuklama vazifasini bajaruvchi tranzistorlar bir-biriga parallel ulanadi, 2YOKI-EMАS sxemada esa – ketma – ket.
• Bunday printsip yordamida faqat ikki kirishli elementlar emas, balki kirishlar soni katta boʼlgan sxemalar ham tuziladi.

KMDYA tranzistorlarida bajarilgan 2HАM-EMАS va 2YOKI-EMАS MElari

• Statik holatda KMDYA-tranzistorlarda bajarilgan elementlar quvvat isteʼmol qilmaydilar, chunki tranzistorlarning bir guruhi berk boʼlib, deyarli tok isteʼmol qilmaydi. Bu vaqtda ulardan berk tranzistorlarning juda kichik toki oqib oʼtadi. Shu sababli RIS isteʼmol qilayotgan quvvat minimal boʼlib, asosan sigʼimlarni qayta zaryadlash uchun sarflanayotgan quvvat bilan aniqlanadi.
• KMDYATM elementlarning tezkorligi MDYATM elementlar tezkorligiga nisbatan sezirlarli daraja yuqori. Bu holat, KMDYATM elementlarida kanal kengligiga cheklanishlar qoʼyilmaganligidan kelib chiqadi. Chunki parazit sigʼimlar qayta zaryadlanadigan ochiq tranzistorlarda yetarli oʼtkazuvchanlikni taʼminlash maqsadida kanal kengligi ancha katta olinadi.

• Eʼtiboringiz uchun raxmat

• 15 - maʼruza
• Optronlar. Optoelektron IMSlar

Reja

• Fotodiod
• Nurlanuvchi diod
• Optoelektronika
• Optronlar

• Bitta r-n oʼtishga ega boʼlgan fotoelektr asbob fotodiod deb ataladi.
• Fotodiod sxemaga tashqi elektr manba bilan (fotodiod rejimi) va tashqi elektr manbasiz (fotovolьtaik rejim) ulanishi mumkin. Tashqi elektr manba shunday ulanadiki, bunda r-n oʼtish teskari yoʼnalishda siljigan boʼlsin.
• Fotodiodga yorugʼlik tushmaganda dioddan berilgan kuchlanishga bogʼliq boʼlmagan I0 ekstraktsiya toki deb ataluvchi, juda kichik qiymatga ega “qorongʼulik” toki oqib oʼtadi.
• Diodning n – baza sohasi taqiqlangan zona kengligidan katta energiyaga ega boʼlgan fotonlar bilan yoritilganda elektron – kovak juftliklar generatsiyalanadi.

• Аgar hosil boʼlgan juftliklar bilan r-n oʼtish orasidagi masofa zaryad tashuvchilarning diffuziya uzunligidan kichik boʼlsa, generatsiyalangan kovaklar r-n oʼtish maydoni yordamida ektraktsiyalanadi va teskari tok qiymati uning “qorongʼulik”dagi qiymatiga nisbatan ortadi.
• Yorugʼlik oqimi F intensivligi ortishi bilan diodning IF teskari toki qiymati ortib boradi. Yorugʼlik oqimining turli qiymatlari uchun fotodiod VАXi keyingi slaydda keltirilgan.
• Yoritilganlikning keng chegarasida fototok bilan yorugʼlik oqimi orasidagi bogʼlanish amalda chiziqli boʼladi.