1 va 2-mavzular yuzasidan nazorat savollariga javoblar

IMS komponentasi deb uning diskret element funksiyasini bajaradigan, lekin avvaliga mustaqil mahsulot kabi montaj qilinadigan qismiga aytiladi.

Pardali IMS – bu dielektrik asos sirtiga surtilgan elementlari parda ko’rinishida bajarilgan mikrosxema. Pardalar past bosimda turli materiallardan yupqa pardalar ko’rinishida cho’kmalar hosil qilish yo’li bilan olinadi. Gibrid IMS – bu pardali passiv elementlar bilan diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan tashkil topgan, yagona dielektrik asosda joylashgan mikrosxema. Diskret komponentlarni osma elementlar deb atashadi. Qobiqsiz mikrominiatyur metall mikrosxemalar dibrid IMSlar uchun aktiv elementlar bo’lib hisoblanadi.

A

6. 
   Yarimo‘tkazgich IMSlar analog mikroelektron apparatlar hisoblash texnikasi tizimlari va qurilmalarining element bazasini tashkil etadi. Mikroelektronika rivojining asosiy tendensiyasi integratsiya darajasini Mur qonuniga muvofiq orttirishdan iborat. Integratsiya darajasini oshirishning bitta yo‘li tranzistor tuzilmalaming o‘lchamlarini kichiklashtirishdan iborat. Bunda bipolar IMSlar komponentalari bir-biridan va yarimo‘tkazgich asosdan qo‘shimcha konstruktiv elementlar yordamida elektr jihatdan izolatsiyalanadi.
   
7. 
   Zamonaviy IMSlar qotishmali planar-epitaksial texnologiyada yasaladi. Bu texnologiya planar texnologiyadan shunisi bilan farq qiladiki, p-turdagi asosda o’stirilgan n-turdagi kremniy qatlamida hosil qilinadi. Epitaksiya deb kristall tuzilmasi asosnikidan bo’lgan qatlam o’stirishga aytiladi. Planar-epitaksial texnologiyada yasalgan tranzistorlar ancha tejamli, hamda planarliga nisbatan yaxshilangan parametr va xarakteristikalarga ega.
   
8. 
   Integral mikrosxemalarning murakkablilik darajasi komponent integratsiya darajasi kattaligi bn ifodalanadi. Bu kattalik raqamli IMSlar uchun kristallda joylashishi mumkin bo’lgan mantiqiy ventillar soni bilan belgilanadi.
   
9. 
   A
   
10. 
    A
    
11. 
    A
    

12. 
    MDYA - Tranzistorlar ichida metal-nitrid kremniy dielektrik yarimo’tkazgich tranzistorlar alohida o’rin tutadi. Bunday tranzistorlar xotira elementi rolini bajaradi va qayta dasturlanuvchi xotira qurulmalar asosini tashkil etadi.
    
13. 
    Gibrid IMS deb umumiy dielektrik asosda joylashgan pardali passiv va diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan iborat mikrosxemaga aytiladi.
    
14.