1-мавзу. Технологик жараёнлар ва ишлаб чиқаришни автоматлаштириш соҳасига оид асосий атама ва тушунчалар Режа

Tranzistori –tranzistorli mantiqiy elementlar

TTM ning oddiy bazaviy elementi, 3.27a- rasmga binoan diod hossalarini va tranzistorli kuchaytirgichni biriktiruvchi, ko‘p emitterli tranzistordan foydalanish hisobiga tezlikni ortirishga, iste’mol qilinayotgan quvvatni kamaytirishga va mikrosxemalarni tayorlash texnologiyasini mukammallashtirishga imkon yaratadi
TTM ning baza elementi VA-YO‘Q mantiqiy amalini ham bajaradi. Signalning quyi darajasida (mantiqiy nol) VT₁ ko‘p emitterli tranzistorning hech bo‘lmaganda bitta chiqishida oxirgisi to‘yingan holatda bo‘ladi, VT₂ esa yopiq. Sxemaning chiqish qismida yuqori darajali kuchlanish mavjud bo‘ladi (mantiqiy bir). Signalning yuqori darajasida barcha kirishlarda VT₁ aktiv invers rejimda ishlaydi, esa to‘yingan holatda bo‘ladi. Bu yerdai tavsiflangan TTM baza elementi, tayorlanish texnologiyasi sodda bo‘lganiga qaramasdan, to‘sqinqa bardoshliligi quyiligidan, yuklash qobiliyati kichikligi va sig‘imiy kuchlanish bilan ishlashda tezligi kichikligi sababli keng qo‘llanilmaydi. Uni, 3.29b-rasmga binoan, yuqori to‘sqinqa bardoshlilik va katta yuklash qobilyati talab qilinmaganda, ochiq kollektorli mikrosxemalarni ishlab chiqarishda ishlatish maqsadga muvofiqdir rasmga muvofiq, oldingi sxema bilan taqqoslaganda TTMning baza elementi yaxshilangan parametrlarga ega. Biroq sxemadagi chiqishlarning birikishi mumkin emas.


3.29a-rasm 3.29b-rasm


Yarim o’tkazgichli asboblar. Umumiy takrorlash .
Reja:

1. Yarim o’tkazgichli asboblarning sanoatda va ishlab chiqarishda ishlatilishi.

2. O’tilgan yarim yillik o’quv yiliga xulosalar qilish va yakuniy nazorat testini o’tkazish


Mavzuning maqsadi: Yarim o’tkazgichli asboblar haqida ma’lumotlar berish. Va o’tilgan mavzuni takrorlab yakuniy nazorat testini olish.
Diod. Ikkita yarim o`tkazgich kontaktining bir tomonlama o`tkazish xususiyatiga ega ekanligi ularni o`zgaruvchan tokni to`g`rilash uchun ishlatilishiga imkon beradi. Bitta p-n o`tish mavjud bo`lgan yarimo`tkazgichli asbobga yarimo`tkazgichli diod deyiladi.

Diodning ish prinsipini tushunish uchun p-n kontaktni o`rganaylik p va n tipdagi o`tkazuvchanlikli yarim o`tkazgichlar bip-birlariga tekkizilsa, elektronlari ko`p bo`lgan n sohadan p – sohaga elektronlarning, teshiklar ko`p bo`lgan p-sohadan n-sohaga teshiklarning o`tishi (diffuziyasi) ro`y beradi. Tashqi maydonning yopuvchi qatlamni kengaytiradigan yo`nalishiga yopuvchi yoki teskari yo`nalish deyiladi. Elektronlarning va teshiklarning harakat yo`nalishi o`zgaradi. p-n o`tish joyida ular rekombinatsiyalanadi, ya’ni bip-birlarini neytrallashadi va natijada yopuvchi qatlam yupqalashib uning qarshiligi kamayadi. Demak bu yo`nalishda, ya’ni p-yarim o`tkazgichdan, n-yarimo`tkazgich tomonga tok o`tadi. SHuning uchun ham bu yo`nalishga o`tkazuvchi yoki to`g`ri yo`nalish deyiladi. SHunday qilib p-n o`tish bir tomonlama o`tkazuvchanlikka ega bo`lib, bunday yarim o`tkazgichli diod to`g`rilagichlar sifatida ishlatiladi va uning shartli belgisi 149 g-rasmda ko`rsatilgan. YArim o`tkazgichli diodlar lampali diodlarga nisbatan qulay, ishonchli va hajmi kichkina bo`lganligi uchun ularni radiotexnikadan qariyib to`la siqib chiqardi. YArim o`tkazgichli diodlar na faqat to`g`rilagich va balki detektor (qayd etgich) sifatida ham ishlatilishlari mumkin.