1-mavzu. Kanali induksiyalangan mdya – tranzistor, Kanali qurilgan mdya – tranzistor Reja: 1

3.6. Kanali qurilgan MDYa – tranzistor 
33 –rasmda 
n
– turdagi kanali qurilgan MDYa tranzistor tuzilmasi (
a
) va 
uning shartli belgisi (
b
) keltirilgan. 
Agar 
U
ZI
= 0 bo‘lganda 
U
SI
kuchlanish o‘rnatilsa, u holda kanal orqali 
elektronlar hisobiga tok oqib o‘tadi. Zatvorga istokka nisbatan manfiy kuchlanish 
berilsa, kanalda ko‘ndalang elektr maydon yuzaga keladi va uning ta’sirida kanaldan 
elektronlar itarib chiqariladilar. Kanal elektronlar bilan kambag‘allashib boradi, 
uning qarshiligi ortadi va stok toki kamayadi. Zatvordagi manfiy kulchlanish qancha 
katta bo‘lsa, bu tok shuncha kichik bo‘ladi. Tranzistorning bunday rejimi 
kabag‘allashish rejimi
deb ataladi. 
Agar zatvorga musbat kuchlanish ta’sir ettirilsa, hosil bo‘lgan elektr maydoni 
ta’sirida, istok va stok, hamda kristalldan kanalga elektronlar kela boshlaydilar, 
kanalning o‘tkazuvchanligi va shu bilan birga stok toki ortib boradi. Bu rejim 
boyish rejimi
deb ataladi. 

---

Ko‘rib o‘tilgan jarayonlar 34 
a
– rasmda keltirilgan statik stok – zatvor 
xarakteristikada:
U
SI
=const
bo‘lgandagi 
I
S
= f (U
ZI
)
bilan ifoda-langan. 
U
ZI

0 bo‘lganda tranzistor boyish rejimida, 
U
ZI

0 bo‘lganda esa 
kambag‘allashish rejimida ishlaydi. 
a) b) 
33 – rasm. 
Boyish rejimida stok xarakteristikalari 
U
ZI
=
0 da olingan boshlang‘ich 
xarakteristikadan - yuqorida, kambag‘allashish rejimida esa – pastda joylashadi (34 
b
- rasm). 
a) b) 
34 – rasm. 
S, Ri va

statik differensial parametrlar xuddi p
–n
–o‘tish bilan 
boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagi (3.14), (3.15) va (3.16) ifodalardan mos 
ravishda aniqlanadi. 
Xarakteristika tikligi va ichki qarshilik barcha turdagi maydoniy 
tranzistorlardagi kabi qiymatlarga ega bo‘ladi. Kirish qarshiligi va elektrodlararo 
sig‘imlarga kelsak, MDYa – tranzistorlar p
-n
o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy 
tranzistorlardagiga nisbatan yaxshi ko‘rsatkichlarga ega. R
ZI
kirish qarshiligi bir 
necha darajaga yuqori bo‘lib 10
12
-10
15
Om ni tashkil etadi. Elektrodlararo sig‘imlar 
qiymati 
S
ZI
, S
SI
lar uchun -10 pF dan,
S
ZS
uchun -2 pF dan ortmaydi. Bu 
ko‘rsatkichlar tranzistor inersiyasini belgilaydilar.