1-лаборатория ишини бажаришда керак бўладиган Electronics Workbench дастурининг компонентлари

11.2. Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:
11.2.1. Тажриба ўтказишга тайёргарлик кўриш:
Транзистор тузилиши ва чегаравий параметрлари билан танишиб чиқинг, транзистор ҳақидаги маълумотларни ёзиб олинг, ўлчаш учун жадвал тайёрланг.
11.1 – жадвал
Кириш ва бошқариш характеристикалари

ЕБ	В
УБЕ	В
ИБ	мкА
ИК	мА

11.2 - жадвал
Транзистор чиқиш характеристикалари

ИБ, мкА
	уКЕ	В
	иК	мА
	уКЕ	В
	иК	мА
	уКЕ	В
	иК	мА
ва ҳ.з.

11.3 – расмда келтирилган ўлчаш схемасини йиғинг. Транзистор тсоколининг схемаси 11.4 – расмда келтирилган. Резистор қаршиликлари Р₁= (5–10 ) кОм ва Р₂=(510-1000) Ом.

11.4-расм



11.5- расм
11.2.2. = 5 В ўзгармас кучланиш қийматида транзисторнинг кириш ва бошқариш характеристикларини ўлчанг. Ўлчаш натижалари ва ҳисобларни 11.1 - жадвалга киритинг.
11.2.3. Чиқиш характеристиклар оиласини ўлчанг:
Чиқиш характеристиклар оиласини база токининг и_Б=0 мкА қийматидан бошлаб ҳар 50 мкА қийматлари учун ўлчанг. Коллектор токи бу вақтда кўрсатилган чегаравий қийматлардан ошмаслиги керак; кучланиш қийматининг ўзгариш оралиғи шундай танланиши керакки, актив ( > ) ва тўйиниш ( < ) режимларида 3-5 та нуқта олиш мумкин бўлсин.
11.3. Ўлчаш натижаларини ишлаш:
11.3.1. Кириш, бошқарув ва чиқиш харартеристикалар оиласи графигини қуринг.
у_КЕ =5 В, и_Б =100 мкА нуқтада транзистор параметрларини аниқланг
, , (11.10)
11.3.2. База токи 100 мкА бўлганда чиқиш харартеристикасини қуринг. Чизиқли – бқълак аппроксиматсияни амалга ошириб , , , ларни ҳисобланг.

12-лаборатория иши
УБ уланиш схемасидаги БТни статик ВАХларини тадқиқ этиш.
Ишнинг мақсади: УБ уланиш схемасида биполяр транзисторларнинг асосий статик характеристикалари ва параметрларини тадқиқ этиш, характеристикаларни ўлчаш ва тажриба натижаларини қайта ишлаш услуби билан танишиш.
12.1. Лаборатория ишини бажаришга тайёргарлик:
График кўринишда ифодаланган ток ва кучланиш орасидаги боғлиқлик транзистор статик характеристикалари деб аталади. Умумий база уланиш схемасида мустақил ўзгарувчилар сифатида эмиттер токи ва коллектор – база кучланиши танланади, шунда:
(12.1)
Икки ўзгарувчили функтсия график кўринишда характеристикалар оиласи каби тасвирланади.
БТ кириш характеристикалари оиласи 12.1 а- расмда, чиқиш характеристикалар оиласи 7.1 б-расмда келтирилган. Характеристикаларнинг ҳар бири қуйидаги боғлиқлик билан ифодаланади:
, , бўлганда (12.2)
, , бўлганда (12.3)

а) б)
12.1-расм
Кичик амплитудали сиганллар билан ишланганда ва қийматлар билан бериладиган ихтиёрий ишчи нуқта атрофидаги ночизиқли боғлиқликлар (12.1-12.3), чизиқли тенгламалар билан алмаштирилиши мумкин, масалан транзисторнинг ҳ- параметрлар тизимидан фойдаланиб.
(12.4)
ёзиш мумкин, бу эрда , бўлганда
, бўлганда
, бўлганда (12.5)
, бўлганда
ҳ- параметрлар (12.5) формулалари ёрдамида хараткеристикалар оиласидан аниқланиши мумкин (ҳ_11Б ва ҳ_12Б – кириш характеристикалар оиласидан, ҳ_21Б ва ҳ_22Б – чиқиш характеристикалар оиласидан).