1. imslarni tayarlaw texnologiyaları

2-tema. IMS tayarlaw texnologiyası. IMS aktiv hám passiv elementleri.

Joba: :
1. IMSlarni tayarlaw texnologiyaları.

2. IMS tayarlaw procesi.
3. IMS tiykarǵı parametrleri.

1. IMSlarni tayarlaw texnologiyaları.

Integral mikrosxema (IMS) kóp sanlı tranzistor, diod, kondensator, rezistor hám olardı bir-birine baylanıstıratuǵın ótkeriwshilerdi birden-bir konstruksiyaǵa birlestiriwdi (konstruktiv integraciya ); sxemada quramalı informaciya ózgertiwler orınlanıwın (sxemotexnik integraciya ); birden-bir texnologiyalıq siklda, bir waqtıniń ózinde sxemanıń elektroradio elementleri (ERE) payda etinishini, jalǵanıwlar ámelge asırılıwın hám bir waqıtta gruppa usılı menen kóp sanlı birdey integral mikrosxemalar payda etiw (texnologiyalıq integraciya ) ni sáwlelendiredi. IMS birden-bir texnologiyalıq siklda, birden-bir tiykarda tayarlanǵan hám informaciya ózgertiwde málim funksiyanı orınlawshı óz-ara elektr tárepten jalǵanǵan ERElar kompleksi bolıp tabıladı.

IMS elektron ásbaplar qatarına kiredi. Onıń elektron as
bap retindegi tiykarǵı ózgesheligi sonda, ol ǵárezsiz túrde, mısalı, informaciyanı eslep qalıwı yamasa signaldı kúsheytiwi múmkin. Diskret elementler tiykarında sol funksiyalardı orınlaw ushın tranzistorlar, rezistorlar hám basqa elementlerden ibarat sxemanı qolda jıynaw zárúr. Elektron ásbaptıń úskene quramında islew isenimliligi aldınam bar kepserlengen jalǵanıwlar sanı menen anıqlanadı. IMSlarda elementler bir-biri menen metallash jolı jalǵanadı, yaǵnıy kepserlanmaydi da, japsar da etińmeydi. Bunıń nátiyjesinde jıynaw, montaj qılıw jumıslarınıń si-fatini asırıw máselesi sheshildi, úlken muǵdardaǵı ERElarga iye radioelektron qurılmalar óndiriste isenimlilik támiyinlendi.
Házirgi kúnlerde tayarlaw usılı hám bunda payda bolatuǵın strukturasına kóre IMSlarni bir-birinen Principial parıqlanıwshı úsh túrge ajratıladı : yarım ótkezgish, perdeli hám gibrid. IMSlarning hár túri, mikrosxema quramına kiretuǵın elementler hám komponentler sanın ańlatiwshı, integraciya dárejesi hám konstruksiyası menen parıq etedi.
Element dep, konstruksiyası boyınsha kristall yamasa tiykardan ajralmaydigan, ERE funksiyasın orınlawshı IMSning bólegine aytıladı.
IMS komponenti dep, diskret element funksiyasın orınlawshı, lekin montajdan aldın ǵárezsiz ónim bolǵan IMSning bólegine aytıladı.
Jıynaw, montaj qılıw operatsiyaların orınlawda komponentler mikrosxema tiykarına ornatıladı. Qabıqsız diod hám tranzistorlar, kondensatorlardıń arnawlı túrleri, kishi ólshemli induktivlik túteleri hám basqalar ápiwayı komponentlerge, quramalı komponentlerge bolsa, bir neshe elementten shólkemlesken, mısalı, diod yamasa tranzistorlar jıynamaları kiredi.
Elementleri yarım ótkezgish tıykardıń sırtına jaqın qatlamda payda etińan mikrosxemalar yarım ótkezgish IMS dep ataladı.
Elementleri dielektrik tiykar sırtında perde kórinisinde payda etińan mikrosxemalar perdeli IMS dep ataladı. Perdeler túrli materiallardı tómen basımda juqa qatlam retinde ótkeriw jolı menen payda etinadi. Perde payda etiw usılı hám ol menen baylanıslı perde qalıńlıǵına muwapıq IMSlarni juqa perdeli (qalıńlıǵı 1-2 mkm) hám qalıń perdeli (qalıńlıǵı 10 mkmdan joqarı ) larga ajratıladı. Ádebiyatlarda kóbinese IMS jazıw ornına IS dep jazıladı.
Házirgi kúnde perdeli diod hám tranzistorlardıń parametrleri turaqlı bolmaǵanı sebepli, perdeli IMSlar tek passiv elementlerge (rezistorlar, kondensatorlar hám basqalar ) iye.
Perdeli texnologiyada element parametrleriniń ruxsat etilgen tarqaqlıǵı 1÷2 % ten aspaydı. Passiv elementler parametrleri hám olardıń turaqlılıǵın sheshiwshi áhmiyet kásip etkende bul júdá zárúrli boladı. Usınıń nátiyjesinde perdeli ISlar birpara filtrler, faza ózgeriwine bayqaǵısh hám tańlawshı sxemalar, generatorlar hám basqalar tayarlawda isletiledi.
Gibrid IMS (yamasa GIS) dep ulıwma dielektrik tiykarda jaylasqan perdeli passiv hám diskret aktiv elementler kombinatsiyasınan ibarat mikrosxemaga aytıladı. Diskret komponentler aspa dep ataladı. Gibrid IMSlar ushın aktiv elementler qabıqsız yamasa kishkene metall qabıqlarda tayarlanadı.
GISlarning tiykarǵı abzallıqları : islep shıǵıwdıń salıstırǵanda kishi dáwirinde analog hám cifrlı mikrosxemalarning keń klasın jaratıw múmkinshiliginen, keń nomenklaturali passiv elementler payda etiw múmkinshiliginen (MDYa - ásbaplar, diodli hám tranzistorlı matritsalar) hám islep shıǵarılıp atırǵan mikrosxemalarda jaramlılar payızınıń kópliginen ibarat. GISlar baylanıs apparatlarınıń qabıllaw - uzatıw sistemalarında, joqarı chastotalı kúsheytgishlerde, O'YuCh qurılmalarda hám basqalarda qollanıladı.
Isletilingen tranzistor túrine muwapıq yarım ótkezgish integral mikrosxemalar bipolyar hám MDYa IMSlarga ajratıladı. Házirgi kúnde p-n ótiw menen basqarılatuǵın MTlar tiykarında jaratılǵan IMSlar úlken áhmiyetke iye bolıp atır. Bul klasqa arsenid galliy tiykarında, zatvori Shottki diodi kórinisinde bolǵan MTlar kiredi. Sońǵı waqıtta quramında da bipolyar, da maydaniy tranzistorlar isletilingen IMSlar da tayarlanıp atır.
IMSning funksional quramalılıǵı onıń quramındaǵı element hám komponentler sanın kórsetiwshi integraciya dárejesi menen ańlatıladı. Integraciya koefficiyenti san tárepten K=lgN teńlik menen anıqlanadı, bul jerde, N - sxema elementleri hám komponentalari sanı (2. 1-keste).

2. 1-keste