|
Nanoelektronikani rivojlanish bosqichlari
Nanotehnalogiya – bu moddalar bilan ishlashdan alohida atomlarni boshqarishga o’tishi: nanoo’lchamda moddani ko’plab mehanik, termodinamik , magnit va elektrik harakteriskalari holati o’zgarib ketadi. Masalan , oltin nanozarralari hajmiy oltin zarralaridan katalitik, feromagnitik, to’g’rilovchi optik hossalari, o’ziyig’ilishga qodirligi bilan farq qiladi.
Ular yorug’likni yahshi yutadi va sochadi, zaharsiz, kimyoviy stabil, biyomoskeluchi. Ularning intensiv bo’yashda(tovlanish) hozirda dedektirlash uchun, vizualiyashgan va biyotibbiyot obektlar miqdorni aniqlashda foydalanilmoqda [1-7]. Oltin nanozarralari butun boshli asboblar diyagnostika vositalardan tortib har hil turdagi sensorlar, optik tolali va kampyuter nanosxemalarini[8-9] yaratishda itiqbollidir. Ko’rsatilgan hususiyatlar tufayli oltin nanozarralari asosiy metodlari va tushunchalari bilan osson tushunarli universal obekt modili nanofanni tanishtirish uchun qulay rol o’ynashi mumkin,
Zamonaviy texnik tizimlar va vositalarni boshqarish hamda fan va texnikaning rivojlanishi elektronikaning etakchi tarmoqlaridan biri bo’lgan mikroelektronika hamda endigina paydo bo’layotgan nanoelektronika sohalarida faoliyat ko’rsatadigan malakali mutaxacsislarni tayyorlash bilan uzviy bog’liqdir.
Zamonaviy elektronika mahsulotlari bo’lmish integral mikrosxemalar, mikroprostessorlar, o’ta yuqori chastotali detektorlar, quyosh elementlari, lazerlar, elektron hisoblash mashinalar va o’ta yuqori xotirali tizimlar va boshqa noyob elektrik asboblarni yaratish yangi xususiyatga ega bo’lgan yupqa va o’ta yupqa ko’p komponentli qatlamlar tizimlarini yaratishni taqozo qiladi. Shu boisdan ham keyingi yillarda yupqa va o’ta yupqa qatlamlar hosil qilish texnologiyasi va fizikasiga bo’lgan e’tibor keskin ortib ketdi.
Yupqa plyonkalar olish va ularning xususiyatlarini o’rganish o’tgan asrning 70 yillardan boshlab qo’llanilib kelinayotgan an’anaviy usullari mavjud.
Bu usullar bilan olingan plyonkalarning qalinligi asosan bir necha mikrondan o’nlab mikrongacha bo’lib, ular qattiq jismli elektron asbobsozlikda hozirgi kunda ham muvaffaqiyatli qo’llanilib kelmoqda. Hozirgi vaqtga kelib yupqa (d102103 nm) va o’ta yupqa (d<100 nm) plyonkalar olishning zamonaviy molekulyar nurli epitaksiya(MNE), qattiq fazali epitakstiya(QFE), ionlar implatastiyasi va eng zamonaviy (nanoassembler) usullari orqali hosil qilish mumkin. Zamonaviy usullar yordamida asosan plyonka hosil qilish o’ta yuqori vakuum sharoitda olib borilishi, o’ta yaxshi tozalangan asos(taglik)lardan va atom(molekula) manbalaridan foydalanilishi, plyonkalarning mukammalligi(yuqori darajada tekisligi, bir jinsliligi, silliqligi, monokristalligi) bilan eski (tradistion) usullaridan tubdan farq qiladi.
Hozirgi paytda nanoelektronika rivojlanmoqda, ya’ni elektron asbobsoslikda qalinliklari o’nlab nanometr (1 nm = 10-9 m) bo’lgan plyonkalarni ishlatish ustida ishlar olib borilmoqda. Bunday plyonkalar ustma-ust, qatlama-qatlam qilib joylashtirilib aktiv va passiv elementlar hosil qilishda ishlatilishi mumkin. Fan va texnika rivojlanib uch o’lchamli tizimlar hosil qilinmoqda. Bunday tizimlarda 1 sm3 hajmda yuz minglab-millionlab yupqa plyonkali elementlarni joylashtirish mumkin. Ular asosida hosil qilingan integral sxemalar katta va o’ta kattaintegral mikrosxemalar debataladi.
2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
2.1. Namoyish qiluvchi maket va ko’rgazmali qurollar bilan tanishib chiqing.
2.2. Berilgan majmuadagi IMSning nomkrini, turining klassifi-katsiyasini va har bir IMS turkumini aniqlang.
2.3. Ma’lumotnomadan foydalanib o’rganilayotgan IMSga xarakteristika bering: bajaradigan vazifasi, qo’llanio’sohasi, asosiy elektr parametrlari.
2.4. IMS tayyorlash asosiy bosqichlaridan foydalanib, IMS tayyorlash texnologik bosqichlarining ketma – ketligi haqida umumiy bayon bering va ularga qisqacha xarakteristika bering.
2.5. Rim o’tkazgich plastina namunasining mikroskopning ko’rinish sohasiga o’rnating, aniq tasvirga erishing va ko’rinayotgan tasvirni chizib oling.
2.6. Kuzatilayotgan tasvir qaysi texnologik bosqichga ta’luqli.
2.7. Mikroskop ostida tugallangan kichik va o’rta darajali integratsiyadagi IMS topologiyasini ko’rikdan o’tkazing.
Hisobot mazmuni:
- berilgan majmuadagi IMSlarning asosiy belgilanishlari;
- berilgan majmuadagi har bir IMS uchun qisqacha xarakteristika;
- yarimo’tkazgich va gibrid IMSlar tayyorlash texnologik bosqichlarini bayoni;
-mikroskop ostida kuzatilayotgan IMS kristalli strukturasining rasmi va shu rasmga mos keluvchi texnologik bosqich mohiyatining bayoni.
Do'stlaringiz bilan baham: | 
