1 – laboratoriya ishi ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish. Berilgan printsipial sxemadan ims strukturasi, topologiya va texnologiyasini ishlab chiqish

6.Integral mikrosxema elementlarini izolyatsiyasi qanday amalga oshiriladi ?

Dielektrik bilan amalga oshiriladi.

7.Planar va planar – epitaksial texnologiyada yasalgan tranzistorlar bir – biridan nimasi bilan farq qiladi ?
Epitaksial-planar tranzistorlar. Bunday tranzistorlarda kollektor ikki qatlam: yuqori omli bazaga tutashuvchi va kichikomli kontaktga tutashuvchi bo'ladi. Tranzistorlarda kichik omli, elektron o'tkazuvchanligi monokristall taglik yarimo'tkazgichga yuqori omli, epitaksial qatJam o'stirish biJan olinadi. Kichik omli, taglik n+ kollektor sohasini hosil qiladi. Baza va emitter sohalar Si02 larda tirqish orqali ikkilama ditTuziya usulida tayyorlanadi. Natijada, n+ -p-n-n+ hajmiy qarshiligi kichik epitaksial kollektor, koIlektor sohasining kichik C sig'imi va kollektor o'tishi yetarli darajada yuqori teshilish kuchlanishga ega bo'lgan dreyf tranzistor olinad