” fanidan Qayta o’qish uchun mustaqil ishi

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNALOGIYALARI VA KOMUNIKATSIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI SAMARQAND FILIALI
"KOMPYUTER INJINIRING" FAKULTETI

“Elektronika va sxemalar ”

fanidan
Qayta o’qish uchun

MUSTAQIL ISHI

Guruh
_________________________
Tayyorladi:
_________________________
Qabul qildi:
________________________
SAMARQAND 2022
Reja
1. BT asosidagi mantik haqida qisqacha ma’lumot.
2. Bipolyar tranzistorning ulanish sxemalari
3. Tranzistor tuzilmalarining energetik diagrammalari
4. Tranzistorda elektrodlar toklari
5. Bipolyar tranzistor ish rejimlarini elektrodlar toklariga ta’siri.
6. Bipolyar tranzistorning elektr modellari.
1. BT asosidagi mantik haqida qisqacha ma’lumot.
Bipolyar tranzistor (ВТ) deb o‘zaro ta’sirlashuvchi ikkita p-n o‘tishdan tashkil topgan va signallarni tok, kuchlanish yoki quwat bo'yicha kuchaytiruvchi uch elektrodli yarimo'tkazgich asbobga aytiladi. BTda tok hosil bo'lishida ikki xil (bipolyar) zaryad tashuvchilar — elektronlar va kovaklar ishtirok etadi. ВТ p—va n—o‘tkazuvchanlik turi takrorlanuvchi uchta (emitter, baza va kollektor) yarimo'tkazgich sohaga ega (1, a yoki b-rasmlar).

1-rasm. p-n-p (a) va n-p-n (b) turli ВТ lar tuzilmasi va ularning sxemada shartli belgilanishi.
Yarimo'tkazgich sohalarni belgilashda asosiy zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi yuqori bo'lgan soha p+yok\n+belgisi qo'yilishi bilan boshqa sohalardan farqlanishi qabul qilingan. Tranzistorning sohalari ichida eng yuqori konsentratsiyaga ega bo'lgan chekka soha (n+ — soha) n+-p-n yoki (p+— soha) p+-n-p turli tranzistorlarda emitter (E) deb ataladi. Emitteming vazifasi tranzistorning
baza (B) sohasi deb ataluvchi o'rta (p - yoki n—turli) sohasiga zaryad tashuvchilami injeksiyalashdan iborat. Tranzistor tuzilmasining boshqa chekkasida joylashgan n —soha (n+-p-n) yoki p —soha (p+-n-p) kollektor (К) deb ataladi. Uning vazifasi baza sohasidagi noasosiy zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalashdan iborat. Emitter bilan baza orasidagi p — n o‘tish emitter o'tish (EO'), kollektor bilan baza orasidagi p — n o‘tish esa kollektor o'tish (KO‘) deb ataladi.
Baza sohasi emitter va kollektor o‘tishlarning o‘zaro ta’sirlashuvini ta’minlashi kerakligi sababli, BTning baza sohasi kengligi La bazadagi noasosiy zaryad tashuvchilar diffuziya uzunligidan kichik (p+-n-p BT uchun LB« L n , n+-p-n BT uchun LB« L r) bo‘lmog‘i shart. Aks holda emitterdan bazaga injeksiyalangan asosiy zaryad tashuvchilar KO‘gacha yetib bormaydilar va BT samaradorligi pasayadi. Odatda, baza sohasi kengligi LB~ 0,01-H mkm ni tashkil etadi. Tuzilish xususiyatlariga va tayyorlash texnologiyasiga ko‘ra BTlar eritib tayyorlangan, planar va planar-epitaksial tranzistorlarga ajratiladi. Qotishmali tranzistorlarning baza sohasida kiritmalar taqsimlanishi bir jinsli (tekis) bo‘lganligi sababli, unda elektr maydon hosil bo'lmaydi. Shuning uchun EZNlar bazadan kollektorga diffuziya hisobiga ko‘chadilar.
Planar va planar-epitaksial tranzistorlarning baza sohasida kiritmalar konsentratsiyasi taqsimoti bir jinsli emas (notekis) bo‘lib, u kollektorga siljigan sari kamayib boradi. Bunday BTlar dreyfli tranzistorlar deb ataladi. Kiritmalar konsentratsiyasi gradiyenti ichki elektr maydon hosil bo‘lishiga olib keladi va ZNlar bazadan kollektorga dreyf va diffuziya jarayonlari hisobiga ko‘chadilar. Demak, dreyfli BTlaming tezkorligi yuqori bo'ladi.
BTlar asosan chastotalarning keng diapazonida (0-M0 GGs) va
quvvat bo‘yicha (0,01^-100 Vt) elektr signallami o'zgartuvchi, generator va kuchaytirgich sxemalarni hosil qilish uchun ishlatiladi. BTlar chastota bo‘yicha: past chastotali — 3 MGs gacha; o‘rta chastotali 0,3-^30 MGs; yuqori chastotali 30-^300 MGs; o‘ta yuqori chastotali — 300 MGs dan yuqori guruhlarga boiinadi. Quvvat bo'yicha — kam quwatli — 0,3 Vt gacha; o‘rta quwatli — 0,3 -r- 1,5 Vt; katta quwatli - 1,5 Vt dan yuqori guruhlarga ajratiladi.
Nanosekund diapazonida katta quwatli impulslarni hosil qilishga mo‘ljallangan ko'chkili tranzistorlar BTlaming yana bir turini tashkil etadi. Tuzilishi bo‘yicha BTlar ko'p emitterli (KET), ko'p kollektorli (KKT) va tarkibiy (Darlington va Shiklai) tranzistorlari bo’ladi.
ВТ kirishiga berilgan signal quwat bo'yicha kuchaytiriladi. Buning uchun uni o'zgartirilad ig an signal zanjiriga U_c (kirish yoki boshqaruvchi) hamda kuchaytirilgan R_Yu (chiqish yoki boshqariluvchi) signal zanjiriga ulanadi. BTning beshta asosiy ish rejimi mavjud. Agar tashqi kuchlanish manbalari (U_EB, U_KB) yordamida EO' to'g'ri yo'nalishda, КО' esa teskari yo'nalishda siljitilsa, u holda ВТ aktiv (normal) rejimda ishlaydi. Bu rejim analog sxemotexnikada keng qo'llaniladi.
Agar EO' teskari yo'nalishda, КО' esa to'g'ri yo'nalishda siljitilgan bo'lsa, ВТ invers (teskari) rejimda ishlaydi. Agar emitter va kollektor o'tishlar to'g'ri siljitilgan bo'lsa, ВТ to'yinish, teskari siljitilgan bo'lsa —berk rejimda ishlaydi. Bu rejimlar raqamli sxemotexnikada keng qo'llaniladi. EO' to'g'ri siljitilganda KO'da EYK hosil bo'lsa, ВТ injeksiya — voltaik rejimda ishlaydi. BTning yana bir rejimi bo'lib, u teskari siljitilgan KO'ga yuqori kuchlanishlar yoki temperatura ta’sir etganda yuzaga keladi. Bu rejim teshilish rejimi deb ataladi. Ko'chkili tranzistorlar elektr teshilish hisobiga ishlaydi.